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碳化硅的发展历程是一个从偶然发现到广泛应用的漫长过程,以下是对其发展历程的详细介绍:
碳化硅的最初发现与早期应用
1891年,爱德华·古德里奇·艾奇逊在尝试制造人造金刚石的过程中意外发现了碳化硅。他将黏土(铝硅酸盐)与粉状焦炭(碳)混合后在电炉中加热,预期得到金刚石,却意外获得了一种亮绿色的晶体,其硬度仅次于金刚石,因此被命名为金刚砂12。这一发现开启了碳化硅的研究与应用之路。
1893年,艾奇逊发明了以碳素为核心的电阻炉——艾奇逊炉,通过电加热石英和碳混合物,开启了碳化硅的工业化生产12。此后,碳化硅因其优异的硬度和耐磨特性,主要作为磨料应用于研磨和切割工具12。
碳化硅的技术发展与拓展应用
20世纪初至中叶,碳化硅作为磨料的应用得到了广泛发展。然而,随着科技的进步,人们开始探索碳化硅在更多领域的应用。
20世纪50年代至60年代,随着化学气相沉积(CVD)技术的出现,美国贝尔实验室的科学家Rustum Roy等人率先进行了CVD SiC技术研究,开发了SiC气相沉积工艺并对其性质和应用做了初步探索,首次实现了在石墨表面SiC涂层的沉积。这一研究为SiC涂层材料的CVD制备奠定了重要的基础12。
此后,碳化硅的应用领域不断拓展。它开始被用作电子材料,最初用于发光二极管(LED),后来又被用于电力电子设备,包括肖特基势垒二极管(SBD)、结型场效应晶体管(JFET)和MOSFET晶体管等3。
碳化硅作为第三代半导体材料的崛起
近年来,随着半导体技术的不断发展,碳化硅作为第三代半导体材料逐渐崭露头角。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料为特点,具有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点,适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合4。
碳化硅因其优异的性能,在智能电网、轨道交通等高压场合得到了广泛应用。同时,随着技术的不断进步和成本的降低,碳化硅在更多领域的应用也将得到进一步拓展4。
综上所述,碳化硅的发展历程经历了从最初发现到工业化生产,再到技术发展与拓展应用,最后作为第三代半导体材料的崛起等多个阶段。如今,碳化硅已成为一种重要的工业材料,在多个领域发挥着不可替代的作用。
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