光电晶体

铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT) [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]  (1-x)- [PbTiO3] x单晶材料作为一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性、优异的非线性光学性能和热释电性能，尤其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右，使得它可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域，不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料，而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。

使用/应用

可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域，不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料，而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。

特点/优势

提高了产品的相变温度和矫顽力场。
机电耦合系数k33至0.94；场致应变s>1.7%。
d33的压电系数比PZT高4～5倍，介电损耗比PZT低1～3倍。

• 参数

  主要性能参数
  分子式	[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]  (1-x)- [PbTiO3] x，  X=0.24-0.40
  晶体结构	四方，（接近立方）
  晶胞参数	a=4.024 Å (R3m)
  熔点	1280℃
  生长方法	坩锅下降法（布里奇曼法）
  密度	8.1 g/cm3
  莫氏硬度	3.5
  热膨胀系数	10.4x10-6/K
  介电常数（极化）ε	4000-5500@1KHz
  压电常数d33	1200-1500;1500-2000;2000-2500  pC/N
  居里温度	135-150 ℃
  相变温度	50-90℃（单斜-四方相变）
  电机耦合常数	K33(纵模)：˃ 92%； Kt(横模)：59-62%; K33（光束模式）84-88%
  矫顽电场	2-2.5 kv/cm
  晶向	<100>,<110>,<111>
  晶向公差	±0.3-0.5°
  尺寸	5x5mm, 10x10mm, 20x20mm,Dia50.8mm 可以根据客户需求定制。
  厚度	0.5-10mm
  包装	100级包装袋，1000级超净间。

  
  

• 尺寸

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