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- [高纯钛靶材 4N5](https://www.2916.cn/%e9%ab%98%e7%ba%af%e9%92%9b%e9%9d%b6%e6%9d%90-4n5/): 高纯钛靶材-4N5高纯钛元素介绍 元素符...
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- [氧化铬靶材-99.99%(Cr2O3)](https://www.2916.cn/%e6%b0%a7%e5%8c%96%e9%93%ac%e9%9d%b6%e6%9d%90-99-99cr2o3/): 氧化铬靶材，即三氧化二铬陶瓷溅射靶材，用于磁控溅射 PVD 镀膜；分子式：(boldsymbol{Cr_2O_3})，CAS：1308‑38‑9；纯度：99.99%（4N），金属杂质总含量＜100 ppm，严控 Fe、Si、Al、Cu 等杂质；晶体结构：六方刚玉型；外观：深绿色陶瓷块体；理论密度：5.21 g/cm³；优质靶材相对密度≥92‑98%；熔点：2435 ℃，沸点约 4000 ℃；莫氏硬度 8‑8.5，硬脆陶瓷，导热偏低；折射率 n≈2.4；奈尔温度 307 K，低温反铁磁。
- [高纯铝靶材-99.999% Al target](https://www.2916.cn/%e9%ab%98%e7%ba%af%e9%93%9d%e9%9d%b6%e6%9d%90-99-999-al-target/): 高纯铝靶材 99. 999%AI-tar...
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- [高纯镍靶材-99.995% Ni target](https://www.2916.cn/%e9%ab%98%e7%ba%af%e9%95%8d%e9%9d%b6%e6%9d%90/): 高纯镍靶材元素介绍 元素符号： Ni C...
- [4英寸P111硅片-直拉单晶P 型111硅衬底科研MEMS用硅片](https://www.2916.cn/4%e8%8b%b1%e5%af%b8p111%e7%a1%85%e7%89%87-%e7%9b%b4%e6%8b%89%e5%8d%95%e6%99%b6p111%e5%9e%8b111%e7%a1%85%e8%a1%ac%e5%ba%95%e7%a7%91%e7%a0%94mems%e7%94%a8%e7%a1%85%e7%89%87/): 做半导体衬底、MEMS 研发或者实验室镀...
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- [常州某新材料有限公司购买本公司的4寸硅片](https://www.2916.cn/%e5%b8%b8%e5%b7%9e%e6%9f%90%e6%96%b0%e6%9d%90%e6%96%99%e6%9c%89%e9%99%90%e5%85%ac%e5%8f%b8%e8%b4%ad%e4%b9%b0%e6%9c%ac%e5%85%ac%e5%8f%b8%e7%9a%844%e5%af%b8%e7%a1%85%e7%89%87/): 一、常州某新材料有限公司主要购买本公司生...
- [昂**科技（深圳）有限公司主要购买本公司的锗片](https://www.2916.cn/%e6%98%82%e7%a7%91%e6%8a%80%ef%bc%88%e6%b7%b1%e5%9c%b3%ef%bc%89%e6%9c%89%e9%99%90%e5%85%ac%e5%8f%b8%e4%b8%bb%e8%a6%81%e8%b4%ad%e4%b9%b0%e6%9c%ac%e5%85%ac%e5%8f%b8%e7%9a%84%e9%94%97%e7%89%87/): 一、昂**科技（深圳）有限公司主要购买本...
- [区熔高阻硅片与普通直拉硅片区别，高压探测器专用硅基材选型](https://www.2916.cn/%e5%8c%ba%e7%86%94%e9%ab%98%e9%98%bb%e7%a1%85%e7%89%87%e4%b8%8e%e6%99%ae%e9%80%9a%e7%9b%b4%e6%8b%89%e7%a1%85%e7%89%87%e5%8c%ba%e5%88%ab%ef%bc%8c%e9%ab%98%e5%8e%8b%e6%8e%a2%e6%b5%8b%e5%99%a8%e4%b8%93/): 很多高压探测、高能射线检测、功率整流器件...
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- [12英寸硅片区熔高阻fz-高阻硅片价格趋势](https://www.2916.cn/12%e8%8b%b1%e5%af%b8%e7%a1%85%e7%89%87%e5%8c%ba%e7%86%94%e9%ab%98%e9%98%bbfz-%e9%ab%98%e9%98%bb%e7%a1%85%e7%89%87%e4%bb%b7%e6%a0%bc%e8%b6%8b%e5%8a%bf/): 12 英寸硅片区熔高阻fz FZ 硅片、FZ=Float Zone 区熔法，无石英坩埚接触生长，氧、碳杂质极低；高阻指电阻率≥1000 Ω・cm，CZ 直拉硅无法做到超高阻区间，射频、高压功率器件必须用 FZ 高阻硅。12 英寸（300mm）是目前大尺寸 FZ 高端规格，量产难度远高于 6/8 寸 FZ。
- [氮化铝基板（AlN）](https://www.2916.cn/%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%93%9d%e5%9f%ba%e6%9d%bf%ef%bc%88aln%ef%bc%89/): 一、什么是氮化铝（AlN）基板？ 氮化铝...
- [氮化硅（Si3N4）基板](https://www.2916.cn/%e6%b0%ae%e5%8c%96%e7%a1%85%ef%bc%88si3n4%ef%bc%89%e5%9f%ba%e6%9d%bf/): 一、什么是氮化硅（Si3N4）基板？ 氮...
- [掺钕氟化锂钇晶体-Nd:YLF 晶体](https://www.2916.cn/%e6%8e%ba%e9%92%95%e6%b0%9f%e5%8c%96%e9%94%82%e9%92%87%e6%99%b6%e4%bd%93-ndylf-%e6%99%b6%e4%bd%93/): 掺钕氟化锂钇晶体（Neodymium-doped Yttrium Lithium Fluoride），基质化学式：YLiF4，简称 YLF；掺杂激活离子Nd3+)，行业统称 Nd:YLF，经典氟化物激光增益晶体，主打大脉冲能量、低热透镜、线偏振输出，是科研高能脉冲激光器核心材料。掺钕氟化锂钇（Nd:YLF）晶体是非常适合锁模方式工作获得短脉冲激光的优秀晶体，具有热透镜效应小，荧光线宽宽，输出线偏振光等优点。
- [铌酸锂晶体LN-LiNbO₃晶体](https://www.2916.cn/%e9%93%8c%e9%85%b8%e9%94%82%e6%99%b6%e4%bd%93ln-linbo%e2%82%83%e6%99%b6%e4%bd%93/): 一、LiNbO₃晶体 – 铌酸锂LN是什...
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- Published: 2025-12-04
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- Published: 2026-10-01
- Modified: 2026-10-01
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- 标签: znse, 硒化锌

南方科技大学主要购买本公司的Znse硒化锌颗粒，颗粒要求1-6mm；硒化锌纯度为99. 99%；本次购买数量为100g； 经沟通后期还有Insb锑化铟粉末的需求。


> 4N硒化铋靶材为多晶硫族化合物陶瓷溅射靶材，经典三维拓扑绝缘体靶材，科研磁控溅射专用；分子式：Bi_2Se_3，CAS：12068‑69‑8；纯度：99.99%(4N)；GDMS 检测；金属杂质总含量＜100 ppm；重点管控 Se 空位、Bi 偏析；严控 O、C、Fe、Cu、Te 杂质；晶体结构：六方菱方（R‑3m），五原子层（QL）堆垛结构；外观：灰黑色脆性陶瓷块体；理论密度：6.82 g/cm³；烧结靶相对致密度≥94‑97%。熔点：706‑710 ℃；易发生硒挥发、组分失配；热导率低，热...

- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 4N硒化铋靶材, 硒化铋靶材, 高纯度硒化铋靶材

一、4N硒化铋靶材是什么材料？ 4N硒化铋靶材为多晶硫族化合物陶瓷溅射靶材，经典三维拓扑绝缘体靶材，科研磁控溅射专用；分子式：Bi_2Se_3，CAS：12068‑69‑8；纯度：99. 99%(4N)；GDMS 检测；金属杂质总含量＜100 ppm；重点管控 Se 空位、Bi 偏析；严控 O、C、Fe、Cu、Te 杂质；晶体结构：六方菱方（R‑3m），五原子层（QL）堆垛结构；外观：灰黑色脆性陶瓷块体；理论密度：6. 82 g/cm³；烧结靶相对致密度≥94‑97%。熔点：706‑710 ℃；...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 4N5钛靶材, 高纯钛靶材

高纯钛靶材-4N5高纯钛元素介绍 元素符号： Ti CAS号： 7440-32-6 密度： 4. 506 g·cm? 3 物态： 固体 熔点： 166 °C 沸点： 3287 °C 熔化热： 14. 15 kJ·mol? 1 汽化热： 425 kJ·mol? 1 比热容： 25. 060 J·mol? 1·K? 1 元素性质 晶体结构： 六方密堆积 磁序： 顺磁性 膨胀系数： （25 °C）8. 6 μm·m? 1·K? 1 热导率： 21. 9W·m? 1·K? 1 电阻率： （20 °C）0...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 99.99% GaN target, 氮化镓靶材

一、什么是氮化镓靶材 GaN target，99. 99%（4N）？ 氮化镓靶材 GaN target，99. 99%（4N）为多晶氮化镓陶瓷磁控溅射靶材，III‑V 族宽带隙半导体靶材；分子式：GaN，CAS：25617‑97‑4 纯度：99. 99%(4N)；GDMS 检测，金属杂质总含量＜100 ppm；重点控制 O、C、Si、Fe、Al、In 杂质；氧含量是关键指标，科研级要求 O≤150 ppm 晶体结构：六方纤锌矿 Wurtzite；外观：灰黄‑深灰陶瓷块体 理论密度：6. 15 g...


> 氧化铬靶材，即三氧化二铬陶瓷溅射靶材，用于磁控溅射 PVD 镀膜；分子式：(boldsymbol{Cr_2O_3})，CAS：1308‑38‑9；纯度：99.99%（4N），金属杂质总含量＜100 ppm，严控 Fe、Si、Al、Cu 等杂质；晶体结构：六方刚玉型；外观：深绿色陶瓷块体；理论密度：5.21 g/cm³；优质靶材相对密度≥92‑98%；熔点：2435 ℃，沸点约 4000 ℃；莫氏硬度 8‑8.5，硬脆陶瓷，导热偏低；折射率 n≈2.4；奈尔温度 307 K，低温反铁磁。

- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 三氧化二铬陶瓷溅射靶材, 氧化铬靶材

一、什么是氧化铬靶材 99. 99%(Cr2O3)？ 氧化铬靶材，即三氧化二铬陶瓷溅射靶材，用于磁控溅射 PVD 镀膜；分子式：\(\boldsymbol{Cr_2O_3}\)，CAS：1308‑38‑9；纯度：99. 99%（4N），金属杂质总含量＜100 ppm，严控 Fe、Si、Al、Cu 等杂质；晶体结构：六方刚玉型；外观：深绿色陶瓷块体；理论密度：5. 21 g/cm³；优质靶材相对密度≥92‑98%；熔点：2435 ℃，沸点约 4000 ℃；莫氏硬度 8‑8. 5，硬脆陶瓷，导热偏低...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 5个9纯度铝靶材, 高纯铝靶材

高纯铝靶材 99. 999%AI-targer元素介绍 元素符号： Al CAS号： 7429-90-5 密度： 2. 70 g·cm-3 物态： 固体 熔点： 660. 32 °C 沸点： 2519 °C 熔化热： 10. 71 kJ·mol-1 汽化热： 294. 0 kJ·mol-1 比热容： 24. 2 J·mol-1·K-1 元素性质 晶体结构： 面心立方 磁序： 顺磁性 膨胀系数： （25 °C）23. 1 μm·m-1·K-1 热导率： 237 W·m-1·K-1 电阻率： （20...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 99.99%纯度锡靶材, 锡靶材, 高纯锡靶材

高纯锡靶材元素介绍 元素符号： Sn CAS号： 7440-31-5 密度： 7. 365 g·cm-3 （白锡） 物态： 固体 熔点： 231. 93 °C 沸点： 2602 °C 熔化热： 7. 03 kJ·mol-1 （白锡） 汽化热： 296. 1 kJ·mol-1 （白锡） 比热容： 27. 112 J·mol-1·K-1 （白锡） 元素性质 晶体结构： 四方（白锡） 磁序： 顺磁性 （白锡） 膨胀系数： （25 °C）22. 0 μm·m-1·K-1 热导率： 66. 8 W·m-1...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 钴溅射靶材, 钴靶材厂家, 高纯钴靶材

高纯钴靶材元素介绍 元素符号： Co CAS号： 7440-48-4 密度： 8. 9 g·cm-3 物态： 固态 熔点： 1495 °C 沸点： 2927°C 熔化热： 16. 06 kJ·mol-1 汽化热： 377 kJ·mol-1 比热容： 24. 81 J·mol-1·K-1 元素性质 晶体结构： 六方密堆积 磁序： 铁磁 膨胀系数： （25 °C）13. 0 μm·m-1·K-1 热导率： 100 W·m-1·K-1 电阻率： （20 °C）62. 4 uΩ·m 杨氏模量： 209 ...


- Published: 2026-09-20
- Modified: 2026-09-20
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- 分类目录: 溅射靶材
- 标签: 4个9高纯度镍靶材, 镍靶材哪里有卖, 高纯镍靶材

高纯镍靶材元素介绍 元素符号： Ni CAS号： 7440-02-0 密度： 8. 908 g·cm-3 物态： 固体 熔点： 1455 °C 沸点： 2913 °C 熔化热： 17. 48 kJ·mol-1 汽化热： 377. 5 kJ·mol-1 比热容： 26. 07 J·mol-1·K-1 熔点时液体密度: 7. 81 g·cm-3 元素性质 晶体结构： 面心立方 磁序： 铁磁 膨胀系数： （25 °C）13. 4 μm·m-1·K-1 热导率： 90. 9W·m-1·K-1 电阻率： ...


- Published: 2026-09-17
- Modified: 2026-09-17
- URL: https://www.2916.cn/4%e8%8b%b1%e5%af%b8p111%e7%a1%85%e7%89%87-%e7%9b%b4%e6%8b%89%e5%8d%95%e6%99%b6p111%e5%9e%8b111%e7%a1%85%e8%a1%ac%e5%ba%95%e7%a7%91%e7%a0%94mems%e7%94%a8%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 技术方案
- 标签: 111晶向硅片, 4英寸P111硅片

做半导体衬底、MEMS 研发或者实验室镀膜测试的朋友，大多都接触过 4 英寸硅片。市面上最常见的是 晶向，但很多特定工艺场景，只能选择4 英寸 P 晶向硅片。不少刚入行的工程师、科研人员很容易混淆晶向带来的差异，简单把 111 硅片当成普通硅片采购，最后在湿法刻蚀、外延生长环节踩坑。今天就聊聊这款 P 型 111 硅片，从晶体特性、选型要点，到实际应用场景，一次性讲清楚。教你4英寸硅片怎么选 很多人会疑惑，同样是 4 英寸单晶硅，为什么晶向会带来完全不一样的加工表现。硅是金刚石立方晶体结构，不同...


- Published: 2026-09-09
- Modified: 2026-09-18
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- 分类目录: 客户案例
- 标签: 2寸掺杂si砷化镓, 2寸非掺杂砷化镓

一、客户需求 客户需求2英寸砷化镓，要求非掺杂，电阻率≥10^7,其他无要求。 二、我公司提供快速小批量交货。2英寸砷化镓库存充足，当天付款。当天发货。次日即可到达客户手中。支持2英寸硅片、磷化铟常规片、砷化镓常规片的快速现货交易保障。


- Published: 2026-08-24
- Modified: 2026-08-24
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- 分类目录: 客户案例
- 标签: 2英寸砷化镓单晶衬底, 砷化镓单晶衬底

上海交通大学购买本公司的2英寸100晶向砷化镓单晶衬底 真实物流单号 另，上海交通大学一直与本公司保持着密切的合作关系。主要购买产品为yag晶圆、ysz单晶片等。


- Published: 2026-08-18
- Modified: 2026-08-18
- URL: https://www.2916.cn/%e5%8d%95%e6%99%b6%e9%94%91%e5%8c%96%e9%93%9finsb%e6%99%b6%e7%89%87/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 2寸锑化铟晶圆, Insb晶片衬底, 单晶锑化铟晶片, 锑化铟

一、什么是单晶锑化铟InSb晶片？ 单晶锑化铟（InSb）晶片属于III-V族化合物半导体材料，该材料是高端光电探测、高速微电子、精密磁传感领域的核心基石。其中，单晶锑化铟（InSb）晶片凭借极致的载流子迁移率、优异的中红外光谱响应特性，成为1-5. 5μm中波红外探测、超高灵敏度磁传感器、高速射频器件的首选基材，广泛应用于航空航天、国防军工、精密工业检测、天文观测等高端领域。相较于硅、锗等传统半导体材料，单晶锑化铟晶片的光电性能与电学性能优势突出，是不可替代的高端特种半导体材料。 二、单晶锑化...


- Published: 2026-08-10
- Modified: 2026-08-10
- URL: https://www.2916.cn/%e5%8e%a6%e9%97%a8%e7%90%86%e5%b7%a5%e5%ad%a6%e9%99%a2%e8%b4%ad%e4%b9%b0yag%e6%99%b6%e7%89%87%e3%80%81ysz%e6%8a%9b%e5%85%89%e6%99%b6%e7%89%87/
- 分类目录: 客户案例
- 标签: 4寸yag晶片, yag晶片, ysz单晶片

一、厦门理工学院主要购买本公司生产的yag晶片、ysz单晶片等。 购买的产品参数：yag晶片，规格5*5*5mm，111晶向；ysz晶片，规格5*5*0. 5,001晶向。 购买合同附图： 二、真实的物流单号：SF1566418034186 三、yag晶片，ysz晶片真实销售发票 我公司主营：yag单晶片、磷化铟单晶衬底片、砷化镓单晶片、FZ区熔高阻硅片、特殊晶向硅片、高纯锗片等。


- Published: 2026-08-10
- Modified: 2026-08-10
- URL: https://www.2916.cn/%e5%b8%b8%e5%b7%9e%e6%9f%90%e6%96%b0%e6%9d%90%e6%96%99%e6%9c%89%e9%99%90%e5%85%ac%e5%8f%b8%e8%b4%ad%e4%b9%b0%e6%9c%ac%e5%85%ac%e5%8f%b8%e7%9a%844%e5%af%b8%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 客户案例
- 标签: 4寸区熔硅片行情, 4寸硅片, 4寸高阻硅片价格, 8英寸超厚硅片厂家

一、常州某新材料有限公司主要购买本公司生产的4寸硅片，主要厚度为4寸0. 5厚单抛硅片，电阻率≤20Ω. cm。 真实签订合同： 4寸硅片销售发票： 真实物流单号：SF0218285354023 本公司主营产品：单晶硅片、高阻硅片、FZ区熔硅片、蓝宝石衬底、砷化镓晶片、2-4寸磷化铟晶片、绝缘性碳化硅片


- Published: 2026-08-10
- Modified: 2026-08-10
- URL: https://www.2916.cn/%e6%98%82%e7%a7%91%e6%8a%80%ef%bc%88%e6%b7%b1%e5%9c%b3%ef%bc%89%e6%9c%89%e9%99%90%e5%85%ac%e5%8f%b8%e4%b8%bb%e8%a6%81%e8%b4%ad%e4%b9%b0%e6%9c%ac%e5%85%ac%e5%8f%b8%e7%9a%84%e9%94%97%e7%89%87/
- 分类目录: 客户案例
- 标签: 2寸111晶向锗片, 4寸100晶向锗片价格, 4寸锗片价格

一、昂**科技（深圳）有限公司主要购买本公司的4英寸锗片。主要是111晶向锗片，P型100晶向单抛锗片等。 附图：真实物流单号 锗片加工定制 2寸111晶向锗片价格


- Published: 2026-08-07
- Modified: 2026-08-07
- URL: https://www.2916.cn/%e5%8c%ba%e7%86%94%e9%ab%98%e9%98%bb%e7%a1%85%e7%89%87%e4%b8%8e%e6%99%ae%e9%80%9a%e7%9b%b4%e6%8b%89%e7%a1%85%e7%89%87%e5%8c%ba%e5%88%ab%ef%bc%8c%e9%ab%98%e5%8e%8b%e6%8e%a2%e6%b5%8b%e5%99%a8%e4%b8%93/
- 分类目录: 技术方案
- 标签: fz区熔高阻硅片价格, 区熔高阻硅片, 直拉硅片, 高电阻率硅晶圆

很多高压探测、高能射线检测、功率整流器件采购容易混淆区熔 FZ 高阻硅片与直拉 CZ 硅片，二者电阻率、氧含量、击穿电压差距极大，高压工况下不能互相替代。 直拉 CZ 硅片氧含量偏高，电阻率上限偏低，多用于常规集成电路、低压功率器件；区熔法 FZ 硅片全程无坩埚接触，氧杂质含量极低，电阻率最高可做到上万 Ω・cm，击穿电压高、漏电流极小，是 X 射线探测器、高能粒子探测、高压晶闸管、静电防护器件的专用基材。同时区熔硅少子寿命长，反向漏电流控制优异，长时间高压工作稳定性更强。 加工层面区熔硅硬度更...


- Published: 2026-08-07
- Modified: 2026-08-09
- URL: https://www.2916.cn/%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%93%9daln%e9%99%b6%e7%93%b7%e5%9f%ba%e6%9d%bf%e5%87%ad%e4%bb%80%e4%b9%88%e6%88%90%e4%b8%ba-ai-%e7%ae%97%e5%8a%9b%e8%8a%af%e7%89%87%e6%a0%b8%e5%bf%83%e6%95%a3%e7%83%ad%e5%9f%ba/
- 分类目录: 技术方案
- 标签: ain基板材料, 氧化铝陶瓷基板, 氧化铝高导热基板, 氮化铝陶瓷基板

一、什么是氮化铝陶瓷基板材料？ 当下 AI 大模型算力服务器、800G/1. 6T 高速光模块、高端 GPU 封装面临大功率高密度散热难题，氧化铝陶瓷导热能力已经触及瓶颈，氮化铝 AlN 陶瓷基板凭借超高导热系数成为行业优选散热基材。 高纯氮化铝理论导热系数可达 220W/(m・K)，是普通 96% 氧化铝陶瓷的 4~5 倍，热膨胀系数与单晶硅芯片高度匹配，芯片长时间满负载高温运行时，不会因热胀冷缩产生分层开裂、焊盘脱落故障，绝缘耐压等级高，适配高压高密度封装场景。在英伟达高端算力卡、1. 6T...


- Published: 2026-08-07
- Modified: 2026-08-07
- URL: https://www.2916.cn/4h-sic-%e7%a2%b3%e5%8c%96%e7%a1%85%e8%a1%ac%e5%ba%95%e4%bc%98%e5%8a%bf%e8%a7%a3%e6%9e%90%ef%bc%8c%e6%96%b0%e8%83%bd%e6%ba%90%e8%bd%a6%e5%8a%9f%e7%8e%87%e5%99%a8%e4%bb%b6%e4%b8%ba%e4%bb%80%e4%b9%88/
- 分类目录: 技术方案
- 标签: 4H碳化硅衬底, 半绝缘型碳化硅衬底, 碳化硅晶圆, 碳化硅衬底

第三代半导体碳化硅分为 3C、4H、6H 三种主流晶型，商业化量产里 4H-SiC 占据 95% 以上市场份额，也是新能源汽车车载 OBC 车载充电机、主逆变器、充电桩功率器件的核心衬底材料。 4H 碳化硅禁带宽度 3. 26eV，击穿电压可达 1700V 以上，饱和电子漂移速度快，高频开关工况下导通损耗极低，相比传统硅基 IGBT，搭载 4H-SiC 器件的电动车电控系统功耗降低 15%~20%，整车续航同步提升，设备散热结构可以小型化设计。6H-SiC 更多用于高压直流输电、光电探测器；3C...


- Published: 2026-08-07
- Modified: 2026-08-07
- URL: https://www.2916.cn/%e4%b8%8d%e5%90%8c%e6%99%b6%e5%90%91%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e8%a1%ac%e5%ba%95%e6%80%8e%e4%b9%88%e9%80%89%ef%bc%9fa-%e9%9d%a2-c-%e9%9d%a2-m-%e9%9d%a2%e5%8f%82%e6%95%b0%e4%b8%8e%e8%a1%8c/
- 分类目录: 技术方案
- 标签: a面蓝宝石, c面蓝宝石, m面蓝宝石, 蓝宝石衬底, 高精度双面抛光蓝宝石片

在 LED 外延生长、光学窗口、半导体高温承载、红外探测等行业采购选型中，蓝宝石衬底晶向选择直接决定外延薄膜生长质量、器件良率与使用寿命，不少研发采购人员经常纠结 A 面、C 面、M 面蓝宝石该如何匹配自身工况。 C 面（0001）蓝宝石是目前商用最主流的蓝宝石衬底晶向，晶格结构适配 GaN 氮化镓外延沉积，是蓝绿光 LED、Mini LED 芯片量产标配基材，化学稳定性强，1700℃高温环境下不会形变开裂，双面抛光工艺可将 TTV 整体厚度偏差控制在 5μm 以内，Warp 翘曲度严格管控，大...


- Published: 2026-07-27
- Modified: 2026-07-27
- URL: https://www.2916.cn/%e5%a4%8d%e6%97%a6%e5%a4%a7%e5%ad%a6%e8%b4%ad%e4%b9%b0%e6%9c%ac%e5%85%ac%e5%8f%b8%e7%9a%84%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%93%9d%e9%99%b6%e7%93%b7%e5%9f%ba%e6%9d%bf/
- 分类目录: 客户案例
- 标签: 客户案例, 氮化铝陶瓷基板

复旦大学主要购买本公司生产的养氮化铝陶瓷基板，用于生长电极测试。 真实交易信息 本公司销售的其他产品：氮化硅（Si3N4）基板 氮化铝基板（AlN） 靶材 热氧化硅片


- Published: 2026-07-27
- Modified: 2026-07-27
- URL: https://www.2916.cn/%e5%8d%97%e5%bc%80%e5%a4%a7%e5%ad%a6-%e7%9c%9f%e5%ae%9e%e6%a1%88%e4%be%8b/
- 分类目录: 客户案例
- 标签: 2寸磷化铟衬底, 4寸掺铁磷化铟晶片

南开大学主要购买本公司的磷化铟衬底，产品涵盖2寸掺Zn磷化铟，4寸掺Fe磷化铟等。客户长期稳定购买。 购买凭证 真实物流邮寄单号： 感谢客户一直以来的支持。 公司销售的其他产品：C向蓝宝石单晶衬底 551晶向硅片-特殊晶向硅片-高指数偏晶向硅 311晶向硅片-特殊晶向硅片采购指南 N型单晶硅片与P型单晶硅片区别 CZ直拉硅FZ区熔硅片厂家


- Published: 2026-07-26
- Modified: 2026-07-26
- URL: https://www.2916.cn/311%e6%99%b6%e5%90%91%e7%a1%85%e7%89%87-%e7%89%b9%e6%ae%8a%e6%99%b6%e5%90%91%e7%a1%85%e7%89%87%e9%87%87%e8%b4%ad%e6%8c%87%e5%8d%97/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 311晶向硅片, 553晶向硅片, 特殊晶向硅片, 特殊晶向硅片定制厂家

311晶向硅片：特殊晶向硅片市场解析与采购指南 你或许早已熟悉（100）、（111）这些半导体世界的“标准地图”，它们指引着芯片制造的经典航路。但在尖端应用的深水区，当标准答案失效，一种更具“定向”潜力的材料——特殊晶向硅片——正悄然成为破局的关键。其中，311晶向硅片，凭借其在特定物理性能调控上的独特优势，正从实验室走向更广阔的产业前沿。 与主流的（100）硅片相比，（311）晶面呈现截然不同的原子排布方式。这种差异并非只是几何上的不同，它深刻影响着材料的表面能、刻蚀速率以及外延生长的初始行为...


> Si (551) 551晶向硅片（高指数晶向硅片），标准写法：(551) 晶面 / 晶向，属于高指数偏晶向硅，不是量产通用晶向（常规为 100/111/110），这种特殊晶向晶片通常没有现货以定制片为主。

- Published: 2026-07-26
- Modified: 2026-07-26
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 551晶向硅片, 特殊晶向硅片

一、什么是551晶向晶片？551晶向晶片的特殊晶向硅片与常规100晶向有什么区别？ Si (551) 晶向硅片（高指数晶向硅片），标准写法：(551) 晶面 / 晶向，属于高指数偏晶向硅，不是量产通用晶向（常规为 100/111/110），这种特殊晶向晶片通常没有现货以定制片为主。 二、4英寸0. 2mm厚551晶向硅片的规格书 CERTIFICATE OF ANALYSIS PRODUCT: 品名 双抛片 SUPPLIER: 供应商 火影科技 Lot No. : 批号 X00126052201...


- Published: 2026-07-06
- Modified: 2026-07-06
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 掺杂蓝宝石, 掺镁蓝宝石衬底, 钛掺杂蓝宝石晶片

蓝宝石作为一种重要的功能性材料，在半导体、LED、激光器等领域有着广泛应用。而通过不同元素的掺杂，蓝宝石衬底可以展现出多样化的特性，满足不同行业的需求。本文将详细探讨蓝宝石衬底中掺杂不同元素所表现出的特性、价格差异及颜色变化，帮助读者全面了解这一材料的多元面貌。 钛蓝宝石 一、蓝宝石衬底基础概述 蓝宝石，化学名称为氧化铝（Al₂O₃），是一种硬度高、热稳定性好、透光范围宽的优良材料。作为衬底材料，蓝宝石具有优异的绝缘性能、机械强度和化学稳定性，是制造LED芯片、激光二极管、功率电子器件等理想的选...


- Published: 2026-07-06
- Modified: 2026-07-06
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 单晶硅片, 单晶硅片与多晶硅片的区别, 多晶硅片, 怎么分辨硅片是单晶还是多晶

在太阳能光伏领域，单晶硅片和多晶硅片是两种极为重要的材料，它们在太阳能电池的制造中扮演着关键角色。虽然二者都能将太阳能转化为电能，但在多个方面存在显著差异。了解这些区别，对于光伏行业的从业者以及关注太阳能利用的普通大众都具有重要意义。 一、晶体结构差异 单晶硅片的晶体结构 单晶硅片具有高度有序的晶体结构。在单晶硅中，硅原子按照一定的晶格排列，形成一个完整、连续且规则的晶体。这种规则的结构使得电子在其中能够更加自由地移动，减少了电子散射的机会，从而有利于提高电子迁移率。就像在一条规划整齐、没有障碍...


> 详解N型、P型单晶硅片掺杂特性与用途，对比CZ直拉硅、FZ区熔硅片工艺、纯度及适用场景，涵盖半导体、红外光学、光伏、功率器件领域，源头工厂可定制加工

- Published: 2026-07-05
- Modified: 2026-07-05
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- 分类目录: 硅片
- 标签: CZ直拉硅片, FZ区熔硅片, N型单晶硅片, P型单晶硅片, 单晶硅片

单晶硅片是半导体、光伏新能源、红外光学、精密电子设备的核心基础材料，凭借结构均匀、性能稳定、导电可控、透光性优异等特点，成为现代光电产业的基石。在实际选型与采购过程中，行业内常依据导电类型分为N型单晶硅片、P型单晶硅片，依据制备工艺分为CZ直拉单晶硅片、FZ区熔单晶硅片。四类硅片性能、纯度、适用场景差异极大，很多用户容易混淆，导致选型偏差、设备适配故障、使用效果不佳等问题。本文结合工业实际应用场景，通俗易懂地解析四类单晶硅片的核心区别、性能特点及适用领域，为行业选型提供精准参考。 1、按导电类型...


> 专业生产单晶硅红外窗口片，采用高纯CZ/FZ单晶硅材质，3-5μm中红外高透光，耐磨耐高温，支持镀膜、异形、大口径定制，广泛应用于红外测温、热成像、光谱检测设备，工厂直供、精度高、交期快。

- Published: 2026-07-05
- Modified: 2026-07-05
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 单晶硅窗口片, 单晶硅红外窗口片

一、单晶硅红外窗口片的核心参数？ 1. 透光波段（核心） 标准透光区间：1. 2～7 μm（近红外 + 中波红外 3–5μm 大气窗口） 区熔高纯 FZ 单晶硅：可拓展至 1～14μm，超高纯 FZ 可覆盖远红外 30–300μm（太赫兹） 缺陷：9μm 处存在强吸收峰，不可用于 10. 6μm CO₂激光透射场景 截止特性：＜1. 1μm 可见光完全不透，天然红外滤波效果 圆形单晶硅红外窗口片 方形单晶硅窗口片 2、关键物性指标 参数 数值 对比优势 折射率 @5μm ~3. 44 高折射率，...


> 12 英寸硅片区熔高阻fz FZ 硅片、FZ=Float Zone 区熔法，无石英坩埚接触生长，氧、碳杂质极低；高阻指电阻率≥1000 Ω・cm，CZ 直拉硅无法做到超高阻区间，射频、高压功率器件必须用 FZ 高阻硅。12 英寸（300mm）是目前大尺寸 FZ 高端规格，量产难度远高于 6/8 寸 FZ。

- Published: 2026-06-30
- Modified: 2026-06-30
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 12英寸本征高阻硅片, 12英寸硅片区熔高阻, 6英寸本征区熔高阻单晶硅片, fz区熔高阻硅片价格, 本征高阻区熔硅片

一、什么是12 英寸硅片区熔高阻 FZ 硅片（300mm FZ High Resistivity Silicon Wafer）？ 12 英寸硅片区熔高阻 FZ 硅片、FZ=Float Zone 区熔法，无石英坩埚接触生长，氧、碳杂质极低；高阻指电阻率≥1000 Ω・cm，CZ 直拉硅无法做到超高阻区间，射频、高压功率器件必须用 FZ 高阻硅。12 英寸（300mm）是目前大尺寸 FZ 高端规格，量产难度远高于 6/8 寸 FZ。 二、12英寸区熔高阻FZ硅片市场价格是多少？ 1、本征未掺杂超高阻...


- Published: 2026-06-28
- Modified: 2026-06-28
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: AIN基板, 氧化铝陶瓷基板, 氮化铝基板

一、什么是氮化铝（AlN）基板？ 氮化铝基板是超高导热绝缘陶瓷基板，核心定位是极致散热 + 高频低损耗，是高功率密度、射频光电器件首选基材，分DBC 直接覆铜、AMB 活性钎焊、DPC 薄膜金属化三大金属化路线。 120*120*0. 3厚氮化铝基板 支持定制各种规格和厚度 二、氮化铝基板与氧化铝基板、氮化硅基板性能对比表 性能指标 氮化铝 AlN 96 氧化铝 Al₂O₃ 气压烧结 Si₃N₄ 说明 热导率 170–230 W/m·K 20–30 W/m·K 60–100 W/m·K 三者导热...


- Published: 2026-06-28
- Modified: 2026-06-28
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 氧化铝陶瓷基板, 氮化硅陶瓷基板, 氮化铝陶瓷基板

一、什么是氮化硅（Si3N4）基板？ 氮化硅基板是第三代半导体（SiC/GaN）高压功率模块专用高端陶瓷散热绝缘基板，依靠高韧性、低热膨胀、强抗热震成为新能源汽车、光伏储能、轨道交通核心封装材料，主流搭配AMB 活性金属钎焊覆铜工艺使用。 我公司提供氮化硅（Si3N4）基板 方形200mm*0. 2mm；102mm*102mm*0. 3 支持定制加工 二、氮化硅陶瓷基板的优势性能有哪些？ 首先，氮化硅基板具有出色的机械强度和硬度，能够在高温高压环境中保持稳定。这使得氮化硅基板成为要求高耐磨性和耐...


> 掺钕氟化锂钇晶体（Neodymium-doped Yttrium Lithium Fluoride），基质化学式：YLiF4，简称 YLF；掺杂激活离子Nd3+)，行业统称 Nd:YLF，经典氟化物激光增益晶体，主打大脉冲能量、低热透镜、线偏振输出，是科研高能脉冲激光器核心材料。掺钕氟化锂钇（Nd:YLF）晶体是非常适合锁模方式工作获得短脉冲激光的优秀晶体，具有热透镜效应小，荧光线宽宽，输出线偏振光等优点。

- Published: 2026-06-25
- Modified: 2026-06-25
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: Nd:YLF 晶体, 掺钕氟化锂钇晶体

一、掺钕氟化锂钇-Nd:YLF 晶体是什么晶体？ Nd:YLF 掺钕氟化锂钇晶体（Neodymium-doped Yttrium Lithium Fluoride），基质化学式：YLiF4，简称 YLF；掺杂激活离子Nd3+)，行业统称 Nd:YLF，经典氟化物激光增益晶体，主打大脉冲能量、低热透镜、线偏振输出，是科研高能脉冲激光器核心材料。掺钕氟化锂钇（Nd:YLF）晶体是非常适合锁模方式工作获得短脉冲激光的优秀晶体，具有热透镜效应小，荧光线宽宽，输出线偏振光等优点。 二、掺钕氟化锂钇-Nd:...


- Published: 2026-06-25
- Modified: 2026-06-25
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 4英寸铌酸锂晶体, 铌酸锂市场价格, 铌酸锂晶体, 铌酸锂晶棒

一、LiNbO₃晶体 - 铌酸锂LN是什么？铌酸锂晶体产品介绍 铌酸锂晶体（LiNbO3，LN）为三方晶系，空间群R3c，畸变钙钛矿 / 钛铁矿型非中心对称结构，被广泛用作1000 nm以上波长的倍频和1064 nm泵浦光的光参量放大，也可用于准相位匹配。同时，由于铌酸锂的电光系数和声光系数较大，因此常用于制造普克尔盒、Q开关、相位调制器、波导材料、声波晶片等，它集铁电、压电、电光、声光、非线性光学、光折变、热电于一体的多功能人工单晶，是光通信、射频声学最核心光电材料之一。我公司可为上述应用提供...


- Published: 2026-06-24
- Modified: 2026-06-24
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 4英寸氮化镓衬底, 6英寸砷化镓衬底, 氮化镓单晶片

一、4英寸氮化镓自支撑衬底的基本规格数据： 标称 4 英寸 = Φ100±1mm，行业通用厚度： 标准量产片：400±50μm / 480±50μm 厚片定制（大功率功率器件）：600~800μm 定位边 Flat 规范（标准 M 面基准）： 主定位边：32±1mm，(10-10) M 面 副定位边：18±1mm，顺时针 90° 分布 二、4英寸氮化镓自支撑衬底的产品性能参数表： 三、4英寸氮化镓衬底核心工艺指标 参数 国产 HVPE 量产标准 高端低缺陷料（进口 / 氨热） 晶向 (0001)...


> 2英寸氮化镓衬底主要应用垂直结构蓝光 / 绿光 LED、Micro LED、大功率激光二极管 LD、紫外深紫外器件；GaN-on-GaN 外延无晶格失配，发光效率远高于蓝宝石外延片。

- Published: 2026-06-24
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/2%e8%8b%b1%e5%af%b8%e6%b0%ae%e5%8c%96%e9%95%93%e8%a1%ac%e5%ba%95/
- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: 2英寸氮化镓衬底, 2英寸砷化镓自支撑衬底

一、2英寸氮化镓衬底的物理参数及基本尺寸规格介绍： 标称 2 英寸 =Φ50. 8±1mm，行业通用厚度分两类： 标准片：400±50μm、430±50μm 薄型定制：350±25μm定位边（Flat）标准： 主定位边 (1-100)：16±1mm 副定位边 (11-20)：8±1mm 二、2英寸氮化镓衬底的基本参数表（也可定制） 三、氮化镓衬底 的三大主流导电类型： 1. N 型硅掺杂（Si-doped，功率 LED / 快充功率管首选） 电阻率：0. 02~0. 05 Ω・cm 载流子浓度：...


- Published: 2026-06-15
- Modified: 2026-06-15
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 红宝石晶片, 红宝石衬底, 蓝宝石晶片

一、蓝宝石晶体Cr3 + 掺杂红宝石Cr Al2O3晶体衬底红宝石晶片产品规范？ 激光级抛光规范 方向公差


- Published: 2026-06-15
- Modified: 2026-06-15
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 蓝宝石刀片, 蓝宝石植发刀片

一、什么是蓝宝石植发刀片？ A蓝宝石尖端/刀片是一种高度专业化的工具，通常用于要求极高的精度，耐用性和耐磨性的行业和领域。蓝宝石是刚玉的一种形式，是仅次于钻石的第二硬材料，使其成为需要高精度切割，切片或磨损的应用的理想选择。 二、蓝宝石尖端/刀片的主要特征？ 1. 硬度:莫氏硬度为9，蓝宝石尖端和刀片可以承受极端压力并抵抗磨损，使其高度耐用，用于重复任务。 2. 精度:蓝宝石刀片通常被磨练成令人难以置信的精细边缘，允许精确切割或切片，这在医疗外科、半导体制造和科学研究等行业至关重要。 3. 耐化...


- Published: 2026-06-15
- Modified: 2026-06-15
- URL: https://www.2916.cn/%e9%80%8f%e6%98%8e%e6%8a%9b%e5%85%89%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e7%ae%a1%e5%8f%af%e5%ae%9a%e5%88%b6%e5%8e%9a%e5%ba%a6/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 异形蓝宝石, 蓝宝石管

一、什么是蓝宝石管，蓝宝石管有哪些应用？ 蓝宝石管具有优异的光学、电学和性能。它具有优异的机械性能，耐高温和耐化学腐蚀性能，是石英等陶瓷材料的理想替代品。正是由于蓝宝石管具有优异的机械和光学性能，因此被广泛应用于航空航天传感器系统、半导体加工、工业系统、医疗设备等领域。 蓝宝石管参数 特征 描述 材料 蓝宝石 (Al2O3) 硬度 莫氏9号 纯度 99. 995% 熔点 2000℃ 耐热耐压 工作温度高达1950年 ℃ 气密性 100%，防止残留气体渗透和化学气体腐蚀 C向蓝宝石单晶衬底 A-R...


> 专业CZ直拉硅片厂家，提供2–8寸单晶硅片，支持P/N型、//晶向定制。详列CZ硅片参数表，对比FZ与CZ硅片区别，适用于IC、功率器件、光伏及科研。可试样、批量供货，欢迎咨询最新价格。

- Published: 2026-06-14
- Modified: 2026-06-14
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 6寸Cz, 6寸cz硅片, CZ直拉硅片, FZ硅片, 单晶硅片价格

什么是CZ直拉硅片？（CZ单晶硅片简介） CZ直拉硅片（Czochralski Silicon Wafer）是目前国内需求量最大的单晶硅片产品之一，广泛应用于集成电路、功率器件、MEMS传感器及太阳能电池制造。 很多客户在咨询时会问：CZ直拉硅片和FZ区熔硅片有什么区别？6寸CZ硅片多少钱一片？哪家CZ硅片厂家支持定制？ 本文将围绕这些常见问题，系统介绍CZ直拉硅片的工艺原理、技术参数、选型建议及应用场景，方便您快速选型与询价。 CZ直拉硅片生产工艺与特点 CZ直拉硅片采用直拉法（CZ法）制备：...


- Published: 2026-06-14
- Modified: 2026-06-14
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: CaF2窗口片, 氟化钙晶体, 氟化钙窗口片

一、氟化钙窗口片是什么？ 氟化钙广泛应用于光谱CaF2光学视窗，CaF2棱镜和CaF2透镜。 te别是高纯度的氟化钙（CaF 2）在UV和UV准分子激光窗口中的使用。 氟化钙（CaF2）可以掺杂有铕（Eu）作为γ射线闪烁体。所有CaF2透射在红外中没有吸收带。根据透射范围，氟化钙有多种质量等级。 氟化钙（CaF2或萤石）通过真空Stockbarger技术在约250mm的直径下生长。红外应用的晶体通常使用自然矿的萤石生长以降低成本。 它在UV和VUV中将不具有zui佳透射率，并且由于杂质可以在30...


- Published: 2026-06-14
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e6%b0%9f%e5%8c%96%e9%95%81%e6%99%b6%e4%bd%93mgf2/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 氟化钙晶体, 氟化钙窗口片, 氟化镁晶体, 氟化镁窗口片

一、氟化镁晶体MgF2是什么晶体？ 氟化镁晶体（MgF2）是一种重要的光学晶体，因其出色的光学特性和优良的机械性能，在光学领域得到了广泛的应用。 氟化镁晶体的特性主要体现在其极佳的透明性和低反射率。它在从真空紫外（110nm）到红外（8μm）的非常宽的波段范围内都具有高透明度，这使得它成为许多光学元件的理想材料。此外，由于MgF2的折射率较低（在可见光区域约为1. 38），因此它在光学元件中用作抗反射涂层，可以大大减少反射损失并提高光学系统的性能。 镁氟化物是一种正交晶系晶体，其晶格参数a=4....


- Published: 2026-06-11
- Modified: 2026-06-11
- URL: https://www.2916.cn/cz%e7%9b%b4%e6%8b%89%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: CZ直拉硅片, FZ区熔硅片, 单晶硅片

一、什么是CZ直拉硅片？ CZ直拉硅片-是指通过直拉法生长的单晶硅片。CZ = Czochralski 直拉法，是目前量产规模最大、应用最广的单晶硅片。 是将多晶硅放入石英坩埚高温熔化，用籽晶浸入硅熔体，一边旋转一边向上提拉，逐步生长出圆柱形单晶硅棒，再切片、抛光制成硅片。特点：全程坩埚接触熔体，工艺成熟、易做大尺寸、适合规模化量产。 二、单晶硅片的产能现状？ 单晶硅片简称硅片，是一种圆形的片状材料，其原子经过人工重新排列，是具有晶向的高纯半导体材料。由于硅元素在占地壳质量的26%，所以单晶硅是...


- Published: 2026-06-11
- Modified: 2026-06-14
- URL: https://www.2916.cn/%e5%8c%ba%e7%86%94%e7%a1%85%e7%89%87-fz%e5%8c%ba%e7%86%94%e7%a1%85%e7%89%872026%e6%9c%80%e6%96%b0%e4%be%9b%e5%ba%94/
- 分类目录: 硅片
- 标签: CZ直拉硅片, FZ区熔硅片, 区熔硅片, 单晶硅片

一、什么是区熔硅片？FZ区熔硅片的制作工艺？ 区熔硅片就是通过区熔法（Float Zone）长晶得到区熔单晶硅棒，然后把单晶硅棒加工成硅片，叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触，硅材料处于悬浮状态，因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低，杂质更少，电阻率更高，适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。 区熔硅片在长晶过程中，通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此区熔硅片大多是本征型，不掺杂的高阻片，电阻率大于>1000欧姆-厘米。但是某...


- Published: 2026-06-11
- Modified: 2026-06-11
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 4H-N碳化硅, 6H-N碳化硅, 碳化硅

一、什么是碳化硅？4H-N、6H-N碳化硅有什么区别？ 碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。 二、碳化硅的规格参数...


- Published: 2026-06-09
- Modified: 2026-06-09
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: C向蓝宝石单晶衬底, M向蓝宝石单晶衬底, R向蓝宝石衬底, 特殊晶向蓝宝石

一、常规C向蓝宝石单晶衬底是什么？有哪些应用？ 化学式(α-Al2O3)，为六方晶格结构。化学性质非常稳定，不溶于水，耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级，熔点为2050℃，沸点3500℃，最高工作温度可达1900℃。透光性好，热传导性和电气绝缘性，力学机械性能表现优秀，具有耐磨和抗划伤的特点。⠀ C向蓝宝石单晶衬底的主要应用：LED（氮化镓基LED）、激光二极管（蓝光、紫外）、射频器件（5G通信、雷达）、功率电子器件（电动汽车、工业电源）。 二、常规C向蓝宝石单晶衬底的产品规格书。 蓝宝石常规C向...


- Published: 2026-06-09
- Modified: 2026-06-24
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 常规单晶硅片, 常规硅片, 氧化硅片, 硅片镀膜

一、什么是常规硅片，常规单晶硅片有哪些应用？ 硅片的原始材料是高纯度的多晶硅，经过一系列复杂的加工工艺，包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成，以满足半导体芯片制造的要求。⠀ 常规单晶硅片的应用：硅片广泛用于集成电路（IC）、功率半导体、传感器和光电子器件，是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机、5G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步，硅片在高性能计算（HPC）和光通信中发挥着重要作用。 二、我公司提供的常规硅片、常规单晶硅片的性能参数。 单晶硅...


- Published: 2026-06-09
- Modified: 2026-06-24
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 氧化硅片, 氧化硅片的应用, 硅片为什么要氧化, 硅片热氧化工艺

一、什么是氧化硅片？硅片氧化后的作用有哪些？ 二氧化硅（SiO₂）是一种常见的无机化合物，主要以石英、玻璃和硅胶等形式存在。它具有高硬度、高熔点（约1713℃）、优异的化学稳定性和良好的绝缘性能。 二氧化硅（SiO₂）广泛应用于半导体、光通信、玻璃和陶瓷等领域。它在电子工业中作为硅片的氧化层、绝缘介质和CMP抛光材料，在光通信中作为光纤的主要材料，并用于制造光学玻璃和防反射涂层。此外，SiO₂还用于耐火材料、催化剂载体、食品添加剂和药物载体，发挥其优异的化学稳定性和耐热性。 二、氧化硅片的产品规...


- Published: 2026-05-31
- Modified: 2026-05-31
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 合金包材, 合金靶材, 稀土靶材, 靶材, 高纯溅射靶材

1．高纯溅射靶材 金属靶材：锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、铟靶、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、钽靶 Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、不锈钢靶材S. S等... ... 2. 合金靶材 钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr、镍铝靶Ni-Al、镍钒靶Ni-V、镍...


- Published: 2026-05-31
- Modified: 2026-05-31
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 单片晶圆盒, 晶圆盒, 晶片是怎么包装的

单片晶圆盒 适用:1、2、3、4、5、6、8、12英寸的芯片、硅片、砷化镓、锗片、磷化铟、蓝宝石等wafer晶片的单片包装。 它突破了传统的包装方法的局限性，可满足光学材料、半导体元件、光电器件、医疗器械等一系列高科技领域的产品特殊存放及其运输要求; 单片盒有广泛的适应性、存放和运输，满足一些易碎的以及表面质量要求严格的器件特殊要求;可通过人工、镊子及一些自动线上专用夹具轻易进行取放操作; 透明度的包装盒体，对一些特殊的要求器件可实现免开盒检验。适用于各类样品展示、携带、运输等。 全自动亲水晶圆...


- Published: 2026-05-26
- Modified: 2026-06-24
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- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: 2英寸磷化铟, 4英寸磷化铟, 磷化铟晶片

一、磷化铟晶片的材料性能特点及应用？ 材料特点：InP具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。 主要应用：5G通信是具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术，是实现人机物互联的网络基础设施；汽车雷达领域用在发现障碍物、预测碰撞、自适应巡航控制、微波雷达等在汽车雷达中有着重要应用。 二、磷化铟晶片的性能参数表？ 晶体电学参数 掺杂 导电类型 载流子浓度 (cm-3) 迁移率 (cm2V-1s-1) 位错密度 (cm-2) 非掺...


- Published: 2026-05-21
- Modified: 2026-05-21
- URL: https://www.2916.cn/%e9%95%80%e9%87%91%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 硅片镀膜, 镀金属膜硅片, 镀金硅片

一、什么是镀金硅片，镀金硅片有什么作用？ 镀金硅片是在单晶硅片表面沉积一层金膜（通常带 Cr/Ti 过渡层）的复合基底，兼具硅的半导体特性与金的高导电、高反射、化学稳定及生物兼容优势，广泛用于高频半导体、光电子、生物传感与科研领域。 镀金硅片的作用； 提高导电性：金具有良好的导电性，通过镀金可以在PCB板的电路连接处形成金属导电层，显著提高电路的导电性，降低电阻，减少信号损耗，提高信号传输的稳定性和可靠性。 防止氧化和腐蚀：金涂层具有优异的化学稳定性，能抵抗氧化和腐蚀，保护PCB板免受外部环境中...


- Published: 2026-05-21
- Modified: 2026-05-21
- URL: https://www.2916.cn/%e9%95%80%e9%93%82%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 镀金属膜硅片, 镀金硅片, 镀铂硅片

一、什么是镀铂硅片-硅片为什么要镀金属膜？ 镀铂硅片是在硅片表面沉积一层高纯铂（Pt）薄膜的复合基底，通常带钛（Ti）粘结层，兼具硅的微加工兼容性与铂的高导电、耐腐蚀、催化活性，广泛用于传感、电化学、MEMS 与半导体领域。 二、硅片为什么要镀金属膜？镀铂硅片有什么好处？ 镀铂硅片，其结构为硅片+氧化膜+金属粘结层+铂层，铂具有111取向，成膜质量高。此外，还有镀金硅片、镀铜硅片以及其他金属膜（如银、钛、镍、钨等）的镀膜工艺，这些金属膜的加工能显著提升器件的应用性能； 三、镀铂硅片的基本结构与常...


- Published: 2026-05-03
- Modified: 2026-05-03
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 偏角度单晶衬底, 斜切角晶向衬底, 特殊晶向, 特殊晶向单晶衬底

一、什么是斜切角晶向衬底、偏角度单晶衬底？ 斜切角晶向衬底、偏角度单晶衬底（也叫斜切衬底、偏切衬底、vicinal/off‑cut substrate），是将单晶衬底表面故意相对于标准低指数晶面（如蓝宝石 C 面、SiC (0001)、氧化镓 (100)）** 倾斜一个小角度（通常 0. 5°–10°）** 切割而成的晶圆，表面形成周期性原子台阶，用于调控外延生长模式与晶体质量。 二、为什么用偏角度衬底？斜切角晶向衬底有什么核心作用？ 降低位错密度：引导原子沿台阶排列，抑制晶格失配产生的位错；如...


- Published: 2026-05-03
- Modified: 2026-05-03
- URL: https://www.2916.cn/a-r-m%e7%89%b9%e6%ae%8a%e6%99%b6%e5%90%91%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e8%a1%ac%e5%ba%95/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: A向蓝宝石衬底, M向蓝宝石衬底, R向蓝宝石衬底, 特殊晶向, 特殊晶向蓝宝石

一、什么是特殊晶向蓝宝石衬底？ 特殊晶向蓝宝石衬底，指偏离常规 C 面 (0001) 的A、M、R、N/V等晶向，以及小角度错切 / 斜切衬底，核心价值是调控极化、晶格匹配、应力与表面台阶，支撑非极性 / 半极性 GaN、二维材料、射频与光电器件的高性能外延。 二、特殊晶向A-M_R向蓝宝石单晶衬底规格书。 蓝宝石A-M-R向单晶衬底（2~6英寸） 材料成分 >99. 99%，High Purity， Mono-crystalline Al2O3 (KY) 端面晶向 A-plane (11-20...


- Published: 2026-05-03
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e4%bd%8e%e5%ba%94%e5%8a%9b%e6%b0%ae%e5%8c%96%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 低应力氮化硅片, 氮化硅片

一、什么是低应力氮化硅片？ 低应力氮化硅片是在硅衬底上生长一层低应力氮化硅（SiNₓ）薄膜的晶圆，核心优势是应力可控（通常＜200 MPa，甚至接近零）、低翘曲、高绝缘、高化学稳定性，广泛用于 MEMS、半导体与纳米生物器件。 二、低应力氮化硅片有哪些核心特征？ 低应力：LPCVD 工艺可将张应力控制在50–200 MPa（常规氮化硅约 1000 MPa），有效防止薄膜开裂、硅片翘曲。 高机械强度：硬度高、耐磨，可做支撑膜与结构层。 优异绝缘性：击穿强度＞15 kV/mm，是理想绝缘 / 钝化层...


- Published: 2026-05-01
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e9%92%bd%e9%85%b8%e9%94%82%e6%99%b6%e7%89%87lt/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 钽酸锂晶圆, 钽酸锂晶片, 钽酸锂衬底

一、什么是钽酸锂晶体？ 钽酸锂化学式LiTaO₃，通常为无色或淡黄色晶体，属于三方晶系，具有畸变钙钛矿型结构。具有优良的电光、压电、热释电性能等优点。 二、钽酸锂晶体规格书。 钽酸锂单晶衬底LiTaO3/LT（2~6英寸） 直径 2英寸-50. 8mm 3英寸-76. 2mm 4英寸-100mm 6英寸-150mm 晶体轴向* Y-36° / Y-42° / Y-128° / X-cut / Z-cut 厚度 250μm 350μm 500μm 1000μm 是否黑化* White or Bla...


- Published: 2026-05-01
- Modified: 2026-05-01
- URL: https://www.2916.cn/%e7%86%94%e8%9e%8d%e7%9f%b3%e8%8b%b1-%e9%ab%98%e7%ba%af%e7%9f%b3%e8%8b%b1%e7%ae%a1-%e7%9f%b3%e8%8b%b1%e7%8e%bb%e7%92%83%e7%89%87/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 石英片, 石英玻璃, 石英管, 高纯石英

一、什么是熔融石英？熔融石英和合成石英有什么区别？ 熔融石英即Fused silica，是氧化硅（石英，硅石）的非晶态（玻璃态）。它是典型的玻璃，其原子结构长程无序。它通过三维结构交叉链接提供其高使用温度和低热膨胀系数。 熔融石英，别称：石英玻璃，非晶态（玻璃态），原子长程无序。制备方法：天然石英砂 / 水晶经 1700℃+ 熔融，快速冷却；或合成 SiCl₄火焰水解 / CVD 沉积。 合成石英，别称：人工水晶，晶态（单晶），三方晶系，原子长程有序。制备方法：水热法，高压釜（400℃、140M...


- Published: 2026-05-01
- Modified: 2026-05-01
- URL: https://www.2916.cn/%e9%93%8c%e9%85%b8%e9%94%82ln/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 铌酸锂, 铌酸锂晶体, 铌酸锂晶棒, 铌酸锂晶片

铌酸锂是铌、锂、氧的化合物，是一种自发极化大（室温时 0. 70 C/m2）的负性晶体，是目前发现的居里温度最高（1210 ℃）的铁电体。 （1） 压电应用Piezoelectric application （2） 光学应用Optical applications （3）介电超晶格Dielectric superlattice field （4）声学应用Acoustic application （5）光通信应用Optical communication application （6）光子集成芯片...


- Published: 2026-05-01
- Modified: 2026-09-20
- URL: https://www.2916.cn/%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93gaas%e8%a1%ac%e5%ba%95%e6%99%b6%e7%89%87/
- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: gaas, 砷化镓外延片, 砷化镓晶片, 砷化镓衬底

一、什么是砷化镓衬底晶片？ 砷化镓衬底晶片GaAs Substrate Wafers砷化镓(GaAs)是一种半导体材料,具有高频率、高电子迁移事、高锦出功事、低唾音以及线性度良奸等优越特性,广泛应用于光电子和微电子工业,在光电子工业领城皮用质面,神化家单品可被用于制作 LED(发光二楼管)、LD(教光园),光伏器件等;在微电子工业领城皮用层面,可被用于制作 MESFET(金属半导体场效皮管)、HEMT(高电子迁移率晶体管),HBT(异质结双极晶体管),IC,微波二极管,Hall 器件等。 GaA...


- Published: 2026-05-01
- Modified: 2026-09-07
- URL: https://www.2916.cn/ge%e5%8d%95%e6%99%b6%e7%aa%97%e5%8f%a3%e7%89%87-ge%e7%89%87-ge%e9%94%ad/
- 分类目录: 锗片/高纯锗
- 标签: 4英寸锗片, 锗单晶窗口片, 锗片

一、什么是锗片？锗片窗口片有什么优势？ 锗（Ge）单晶是一种化学惰性材料，它的透射光谱范围为2-14μm，是一种常用的红外光学材料。具有硬度高、导热性好、不溶于水等特点。锗单晶的机械性能和导热性能好，广泛应用于窗口及光学元件热成像系统。红外热成像仪和红外测温仪窗口上用锗玻璃，主要考虑8-14um这一波段不镀膜情况下锗玻璃的透过率只有40-50%，而镀了增透膜之后的透过率可以达到90%。而且多数客户在锗玻璃还会要求镀DLC类金刚石碳膜用来加强锗玻璃的硬度，起到一定的防爆效果。锗在10. 6μm的吸...


> 热氧化硅片是在有氧化剂的高温条件下在硅片的裸片表面形成的氧化层或者二氧化硅层。硅片的热氧化层通常在水平管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃~1200℃，有“湿法氧化”和“干法氧化”两种生长方式。热氧化层是一种“生长”而成的氧化物层，相较于CVD沉积的氧化层，它具有更高的均匀性和更高的介电强度。热氧化层是作为绝缘体的优异的介电层，在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质方面起着重要作用。

- Published: 2026-04-28
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e7%83%ad%e6%b0%a7%e5%8c%96%e7%a1%85%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 12寸硅片, 单晶硅片, 氧化硅片, 热氧化硅片

一、氧化硅片 Silicon Thermal Oxide Wafer 是什么，和普通硅片有什么区别？ 硅片的热氧化层是在有氧化剂的高温条件下在硅片的裸片表面形成的氧化层或者二氧化硅层。硅片的热氧化层通常在水平管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃~1200℃，有“湿法氧化”和“干法氧化”两种生长方式。热氧化层是一种“生长”而成的氧化物层，相较于CVD沉积的氧化层，它具有更高的均匀性和更高的介电强度。热氧化层是作为绝缘体的优异的介电层，在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质...


- Published: 2026-04-28
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93%e8%a1%ac%e5%ba%95%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93%e6%99%b6%e7%89%87%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93%e5%a4%96%e5%bb%b6%e7%89%87/
- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: 砷化镓, 砷化镓外延片, 砷化镓晶片, 砷化镓衬底

一、什么是砷化镓衬底、砷化镓晶片有什么应用？ 砷化镓（GaAs）是一种优良的半导体材料，具有禁带宽度大（direct band gap）、高迁移率（high electron mobility）、高频低噪音（high-frequency low noise）以及高转换率（high conversion efficiency）等突出的优点。 GaAs衬底分为导电片与半绝缘片两种，广泛应用于激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池板；雷达、微波、毫...


- Published: 2026-04-26
- Modified: 2026-04-26
- URL: https://www.2916.cn/%e9%92%9b%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3-%e6%8e%ba%e9%92%9b%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 掺钛蓝宝石, 钛蓝宝石

一、什么是钛蓝宝石？ 钛蓝宝石（Ti:Sapphire，Ti:Al₂O₃），即掺钛蓝宝石，是在蓝宝石（Al₂O₃）基质中掺杂三价钛离子（Ti³⁺）的人工激光晶体，也是目前飞秒超短脉冲与高功率激光的核心增益介质。 二、钛蓝宝石的基本参数及结构？ 化学组成：Ti³⁺:Al₂O₃（Ti³⁺取代晶格中少量 Al³⁺）。 晶体结构：六方晶系，莫氏硬度9，热导率33 W/(m·K)，机械与热稳定性优异。 核心光谱参数： 吸收带：400–600 nm，峰值约488 nm（适配绿光泵浦，如 532 nm）。 发...


> 蓝宝石热电偶保护管是耐高温型蓝宝石热电偶保护管和热电偶保护套管,由蓝宝石单晶直接一次性生长而成,适合替代刚玉热电偶保护管作为热电偶保护套管,适合高温高压腐蚀环境中热电偶保护,已经成为替代刚玉的热电偶保护套管

- Published: 2026-04-13
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e7%83%ad%e7%94%b5%e5%81%b6%e4%bf%9d%e6%8a%a4%e7%ae%a1/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 蓝宝石保护套管, 蓝宝石套管, 蓝宝石热电偶保护管, 蓝宝石管

一、蓝宝石热电偶保护管是什么？有什么特性？ 蓝宝石热电偶保护管是耐高温型蓝宝石热电偶保护管和热电偶保护套管,由蓝宝石单晶直接一次性生长而成,适合替代刚玉热电偶保护管作为热电偶保护套管,适合高温高压腐蚀环境中热电偶保护,已经成为替代刚玉的热电偶保护套管。 蓝宝石热电偶保护管特性 1. 优异的抗热抗压能力：我们的蓝宝石管能够耐受高达2000摄氏度的高温，也耐受高压和化学腐蚀，具有比刚玉保护管*佳的耐化学腐蚀能力。 2. 超高纯度：蓝宝石管采用权利的单晶生长一次成型技术，纯度高达99. 995%，超高...


- Published: 2026-04-13
- Modified: 2026-09-15
- URL: https://www.2916.cn/%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e7%ae%a1%e5%8f%8a%e5%a6%82%e4%bd%95%e6%ad%a3%e7%a1%ae%e9%80%89%e5%9e%8b%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%ef%bc%88%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e4%b8%8e%e7%9f%b3%e8%8b%b1%e7%8e%bb/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 石英玻璃管, 蓝宝石保护套管, 蓝宝石管

一、蓝宝石管是什么？有哪些特性？ 蓝宝石管是一种由高纯度单晶氧化铝（Al₂O₃） 制成的管状晶体材料，集优异的光学、热学、机械和化学性能于一身，是极端环境下的理想高性能材料。 二、蓝宝石的主要制作工艺有哪些？ 主要采用导模法（EFG）或边缘限定薄膜生长法： 将高纯度氧化铝粉末在高温下熔化。 通过精密模具引导熔体沿特定晶向生长，直接形成管状单晶。 经切割、研磨、纳米级抛光（Ra < 0. 1μm）等精密加工而成。 三、蓝宝石的性能优点及缺点有哪些？ 优点 性能全面：耐高温、耐磨、耐腐蚀、高透光、绝...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆设备, 晶圆键合机, 蓝宝石数控平面磨床, 金刚石减薄砂轮, 金刚线截断机, 键合机

一、啥是常温键合？ 直接键合：无需中间层、反应层，键合更可靠； Direct bonding: No need for intermediate or reaction layers, making the bond more reliable; 常温键合：无需升降温，异种材料的键合变形小； Room-temperature bonding: No heating or cooling required, minimizing deformation when bonding different...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆抛光液, 晶圆设备, 蓝宝石切片机, 蓝宝石数控平面磨床, 金刚石减薄砂轮, 金刚石精磨液, 金刚线截断机

项目 中文说明 English Description 晶圆尺寸 2–12 英寸 Wafer Size: 2–12 inch 适配材料 Si、LT/LN、蓝宝石、InP、SiC、GaAs、GaN 等半导体材料以及金属、玻璃等 Compatible Materials: Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN semiconductors, metals, glass, etc. 产能 ≥10 对/小时 Throughput: ≥10 pairs/hour...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆设备, 蓝宝石切片机, 蓝宝石数控平面磨床, 金刚石减薄砂轮, 金刚线截断机

项目 内容（中文） 内容（英文） 晶圆尺寸 2-12 inch Wafer Size: 2-12 inch 适配材料 SOI, POI, 混合键合 Compatible Materials: SOI, POI, Hybrid Bonding 产能 ≥14 碟/小时 Production Capacity: ≥14 wafers/hour 上料模式 Cassette Loading Method: Cassette 对准精度 ≤ ±50µm/±0. 2µm/100mm（选配） Alignment ...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 数控晶体滚圆机, 晶圆设备, 金刚线截断机

项目 内容（中文） 内容（英文） 晶圆尺寸 2-8 inch Wafer Size: 2-8 inch 适配材料 Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge 等 Compatible Materials: Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, etc. 最高温度 600°C Max Temperature: 600°C 最大压力合力 100kN, 控制精度 ±1% Max Pressure: 100kN, Control Accuracy ±1% 升温速度 30°C/min ...


> 全自动热压阳极键合机

- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 半导体设备, 晶圆设备, 金刚线截断机

项 目 内容（中文） 内容（英文） 晶圆尺寸 4-8 inch Wafer Size: 4-8 inch 适配材料 Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge 等 Compatible Materials: Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, etc. 最高温度 600°C Max Temperature: 600°C 最大压力合力 100kN, 控制精度 ±1% Max Pressure: 100kN, Control Accuracy ±1% 升温速度 30°C/min...


> 该微纳米聚晶金刚石精磨液材料采用创新结构设计，在研磨过程中通过介质微观自锐特性持续保持锋利切削状态，其优化的刃口几何形态显著降低加工表面粗糙度与亚表面损伤。得益于独特的分散稳定技术，颗粒分布均匀且抗沉降性能突出，确保研磨过程的一致性。材料兼具优异的润滑特性和快速排屑能力，配合中性化学特性有效保护加工设备。在实际应用中展现出卓越的切削效能与经济效益比，其高效率加工可一次性达到接近镜面的表面质量，大幅提升精加工效率。

- Published: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆抛光液, 晶圆设备, 金刚石精磨液

该微纳米聚晶金刚石精磨液材料采用创新结构设计，在研磨过程中通过介质微观自锐特性持续保持锋利切削状态，其优化的刃口几何形态显著降低加工表面粗糙度与亚表面损伤。得益于独特的分散稳定技术，颗粒分布均匀且抗沉降性能突出，确保研磨过程的一致性。材料兼具优异的润滑特性和快速排屑能力，配合中性化学特性有效保护加工设备。在实际应用中展现出卓越的切削效能与经济效益比，其高效率加工可一次性达到接近镜面的表面质量，大幅提升精加工效率。 This micro-nano polycrystalline diamond m...


> 该高锰酸钾氧化铝粗抛液采用优质进口氧化铝微晶颗粒作为核心磨料，其粒径严格控制在亚微米级范围（0.3-0.5μm），具有优异的分散稳定性与抗沉降性能。创新性地引入氧化剂成分，通过化学-机械协同作用实现对碳化硅晶片的高效抛光：氧化组分优先软化表面层，再由精密氧化铝颗粒完成纳米级切削，显著提升材料去除率。产品pH值稳定在弱碱性范围（8.5-10.0），固含量精确调控（4.0-4.5%），配合无纺布抛光垫使用时，既能确保超光滑表面质量（Ra＜0.5nm），又可避免抛光介质残留，大幅降低基体亚表面损伤。整...

- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆抛光液, 晶圆设备, 高锰酸钾氧化铝粗抛液

该高锰酸钾氧化铝粗抛液采用优质进口氧化铝微晶颗粒作为核心磨料，其粒径严格控制在亚微米级范围（0. 3-0. 5μm），具有优异的分散稳定性与抗沉降性能。创新性地引入氧化剂成分，通过化学-机械协同作用实现对碳化硅晶片的高效抛光：氧化组分优先软化表面层，再由精密氧化铝颗粒完成纳米级切削，显著提升材料去除率。产品pH值稳定在弱碱性范围（8. 5-10. 0），固含量精确调控（4. 0-4. 5%），配合无纺布抛光垫使用时，既能确保超光滑表面质量（Ra＜0. 5nm），又可避免抛光介质残留，大幅降低基体...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 二氧化硅精抛液, 晶圆抛光液, 晶圆设备

这款精密抛光液选用优质进口纳米硅溶胶作为核心成分，其二氧化硅颗粒具有高度单分散性（80-100nm粒径分布），悬浮体系稳定不易沉降。产品在常温储存条件下保持优异性能，但需避免低温冻结（0℃以下会导致不可逆团聚）及阳光直射。该抛光液操作便捷，具有出色的表面清洁性，对加工设备无腐蚀风险，不会在抛光系统内形成残留。尤其当搭配专用阻尼布抛光垫使用时，可实现纳米级表面光洁度（Ra


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 晶圆切割液, 晶圆抛光液, 晶圆盒, 晶圆设备

这款高性能切割液专为碳化硅晶片加工而设计，具有多重优化特性：其卓越的润滑性能可有效抑制加工过程中的脆性崩边和表面划伤，显著改善晶片平整度，将总厚度偏差控制在极低范围；独特的防腐配方能保护设备免受酸性介质侵蚀，同时特殊添加剂可大幅延长切割钢线使用寿命；创新的可回收设计使碳化硅粉屑易于通过离心分离实现循环利用，配合优异的分散稳定性（粒径5μm±0. 5μm）和粘度控制（100±20cP），在保证切割效率的同时有效降低生产成本，是碳化硅晶棒线切割工艺的理想选择。 This high-performan...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 半导体设备, 晶圆设备, 金刚石减薄砂轮

这款高端金刚石减薄砂轮采用进口精选金刚石微粉作为核心磨料，通过特殊配方的树脂/金属/陶瓷复合结合系统精密制备而成。其独特的磨粒排布技术和结合剂配方使其具备突破性的加工性能：在保持超高硬度和抗压强度的同时，能够实现常规金刚石工具难以企及的亚微米级表面光洁度。特别针对碳化硅、单晶硅等第三代半导体材料以及各类硬质合金、工程陶瓷等超硬脆性材料，本产品展现出卓越的切削效率和优异的表面处理能力，可同时满足高精度减薄和超精密抛光的严苛工艺要求。 This premium diamond grinding wh...


> 蓝宝石数控平面磨床-CNC Sapphire Surface Grinding Machine

- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
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- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: CNC Sapphire Surface Grinding Machine, 半导体设备, 晶圆设备, 蓝宝石数控平面磨床

蓝宝石数控平面磨床-CNC Sapphire Surface Grinding Machine 项目 Item 数值 Value 设备占地 Equipment Area 2. 62m (Length) × 1. 7m (Width) × 1. 9m (Height) 加重Weight 2. 62m (Length) × 1. 7m (Width) × 2. 1m (Height) 设备重量Equipment Weight 2 tons 工作台工作面积 Worktable Area 600×300...


> 金刚线截断机-线棒由架机手自动上料，配有安全防护网和安全光栏 (The wire rod is automatically fed by the machine, equipped with safety guards and safety light curtains). 切割头采用龙门式结构，结构稳定可靠，故障率低，切割效率高 (The cutting head uses a gantry structure, stable and reliable, low failure rate, a...

- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
- URL: https://www.2916.cn/%e9%87%91%e5%88%9a%e7%ba%bf%e6%88%aa%e6%96%ad%e6%9c%ba/
- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: Diamond Wire Cutting Machine, 晶圆设备, 金刚线截断机

金刚线截断机-Diamond Wire Cutting Machine 一、设备优势 (Equipment Advantages): 金刚线截断机-线棒由架机手自动上料，配有安全防护网和安全光栏 (The wire rod is automatically fed by the machine, equipped with safety guards and safety light curtains). 切割头采用龙门式结构，结构稳定可靠，故障率低，切割效率高 (The cutting hea...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
- URL: https://www.2916.cn/%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3%e5%88%87%e7%89%87%e6%9c%ba-sapphire-wafer-slicing-machine/
- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: Sapphire Wafer Slicing Machine, 晶圆设备, 蓝宝石切片机

蓝宝石切片机 Sapphire Wafer Slicing Machine 项目 Item 数值 Value 设备占地 Equipment Area 4. 4m (Length) × 1. 8m (Width) × 3. 1m (Height) 设备重量 Equipment Weight 13t 加工件最大断面尺寸 Maximum Workpiece Cross-Section Φ150mm 加工件最大长度 Maximum Workpiece Length 700mm 钢丝母线直径 Steel ...


> 数控晶体滚圆机数控晶体滚圆机 CNC Ingot Rounding Machine（蓝宝石 碳化硅都可用）

- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-04-07
- URL: https://www.2916.cn/%e6%95%b0%e6%8e%a7%e6%99%b6%e4%bd%93%e6%bb%9a%e5%9c%86%e6%9c%ba/
- 分类目录: 晶圆设备
- 标签: 数控晶体滚圆机, 晶圆设备

数控晶体滚圆机 CNC Ingot Rounding Machine（蓝宝石 碳化硅都可用） 项目 Item 数值 Value 设备占地 Equipment Area 3. 6m (Length) × 1. 62m (Width) × 2. 15m (Height) 设备重量 Equipment Weight 4. 5t 加工范围范围 Workpiece Range 100-220mm (4-8 inches) 加工棒料长度 Processing Bar Length ≤ 400mm 工作台最大...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-09-17
- URL: https://www.2916.cn/yag%e6%99%b6%e4%bd%93-%e9%92%87%e9%93%9d%e7%9f%b3%e6%a6%b4%e7%9f%b3%e6%99%b6%e4%bd%93-yag%e6%bf%80%e5%85%89%e6%99%b6%e5%9c%86-%e6%8e%ba%e6%9d%82yag%e6%99%b6%e5%9c%86/
- 分类目录: Yag/YSZ单晶
- 标签: yag晶棒, yag晶片, 钇铝石榴石

贵州火影科技有限公司可提供各种掺杂和非掺YAG晶体！！！ 不掺杂YAG是键合晶体配材、紫外和红外光学窗口的重要晶体材料。YAG晶体机械强度高、导热性能好、光学质量高、化学性质稳定，这些优良的物理化学特性与常用的衬底材料和窗口材料蓝宝石相比，非常相似，但YAG是等轴晶系晶体，无自然双折射，光学均匀性好，因而得到广泛应用。雷生强式公司生产高质量大尺寸不掺杂YAG晶体，提供高质量的不掺杂YAG键合晶体配材、紫外和红外光学窗口。 钇铝石榴石（YAG）是具有立方对称性的各向同性晶体。它具有优良的光学和热力...


- Published: 2026-04-07
- Modified: 2026-06-24
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- 分类目录: 硅片
- 标签: 12寸硅片, 单晶硅片

贵州火影科技有限公司是国内专业生产蓝宝石晶体，碳化硅单晶，单晶硅片，以及InP,ZnSe窗口，锗窗口材料等。公司拥有自己的工厂分别位于江苏无锡和湖北武汉，是国内较早专业提供半导体晶圆的公司。 其中，单晶硅产品主要包括：2寸、4寸、6寸、8寸、12寸等尺寸齐全，P型、N型，晶向110,111，能够满足不同客户用途的需求。科大量现货供应。部分产品的参数表如下： 一、4英寸单抛硅片 产品规格书 shanghai xinkehui new material Co. , Ltd Product Spec....


> 钽酸锂晶体的化学式为LiTaO3。无色或浅黄色晶体。它是一种铁电晶体，具有优异的电光、压电、电学和热电性能。使用提拉法生长。它在激光技术中用作Q开关，在红外技术中用作热释电探测器，也可用于制作滤波器和谐振器。

- Published: 2026-04-03
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/litao3-%e9%92%bd%e9%85%b8%e9%94%82%e6%99%b6%e4%bd%93/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: LiTaO3晶体, 钽酸锂晶体

钽酸锂的化学式为LiTaO3。无色或浅黄色晶体。它是一种铁电晶体，具有优异的电光、压电、电学和热电性能。使用提拉法生长。它在激光技术中用作Q开关，在红外技术中用作热释电探测器，也可用于制作滤波器和谐振器。 使用/应用 LiTaO3在激光技术中用作Q开关，在红外技术中用作热释电探测器，也可用于制作滤波器和谐振器。 特点/优势 优异的电光、压电、电学和热释电性能。 参数 主要性能参数 材料纯度 >99. 995% 晶体结构 三方, 点群C63vR3C 晶格常数 a=5. 154Å c=13. 783...


- Published: 2026-04-03
- Modified: 2026-04-03
- URL: https://www.2916.cn/ge-%e9%ab%98%e7%ba%af%e9%94%97%e7%89%87-%e9%94%97%e8%a1%ac%e5%ba%95/
- 分类目录: 锗片/高纯锗
- 标签: 锗片, 高纯锗

锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素（如铟、镓、硼）以获得P型锗半导体，五价元素（如锑、砷和磷）掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。 高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。 使用/应用 高质量的锗衬底可用于聚光光伏（CPV）、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管（LED）应用。 特点/优势 锗掺杂三价元素得到P型锗半导体，掺杂五价元素得到N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。 参数 晶体结构 立...


- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-07-01
- URL: https://www.2916.cn/%e7%a3%b7%e5%8c%96%e9%93%9finp/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 2寸磷化铟衬底, 4寸磷化铟衬底, 磷化铟, 磷化铟衬底片

一、什么是磷化铟Inp？ 磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体。化学分子式为InP。共价键结合，有一定的离子键成分。属闪锌矿型结构，为复式晶格，晶格常数是0. 58688nm。磷化铟单晶的制备操作步骤包括如下两道： (1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼法。 (2)制备掺杂磷化铟单晶。一般采用高压溶液提拉法，是将盛有磷化铟多晶的石英坩埚置于高压设备内进行，用电阻丝或高频加热，惰性气体保护(压力3×106Pa)下让晶体生长。为了提...


- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-03-29
- URL: https://www.2916.cn/bk7%e7%aa%97%e7%89%87/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: BK7窗片, 窗口片

BK7窗片 The Window is made from BK7 material, which has transparent range from 330-2100nm. The refractive index is 1. 5164 at 588nm. The BK7 window has good performance over visible and near IR spectrum for most application. Specifications: Dimension T...


> 氟化钙窗口片-The CaF2 Window is made from Calcium Fluoride material, which has transparent range from 170-7800nm. The refractive index is 1.399 at 5000nm. It has little hygroscopic susceptibility and high thermal expansion coefficient.

- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e6%b0%9f%e5%8c%96%e9%92%99%e7%aa%97%e7%89%87-caf/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: 氟化钙窗口片, 窗口片

氟化钙窗片 The CaF2 Window is made from Calcium Fluoride material, which has transparent range from 170-7800nm. The refractive index is 1. 399 at 5000nm. It has little hygroscopic susceptibility and high thermal expansion coefficient. CaF2 Windows are rel...


> 铌酸锂晶体是一种优异的人工晶体，可以作为双折射器件使用，也可以用于非线性应用，或者用于电光效应场合。其电光系数比较大，而且价格便宜，是制作电光调制器的常用材料。具有较高的双折射率，也常用于光通讯器件中，起到偏振元件的作用。在非线性方面，被广泛应用于OPO和OPM。

- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-06-24
- URL: https://www.2916.cn/%e9%93%8c%e9%85%b8%e9%94%82%e6%99%b6%e4%bd%93%ef%bc%88linbo3%ef%bc%89-%e4%bc%98%e5%bc%82%e7%9a%84%e4%ba%ba%e5%b7%a5%e6%99%b6%e4%bd%93%ef%bc%8c%e5%8f%af%e4%bb%a5%e4%bd%9c%e4%b8%ba/
- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: LiNbO3, 铌酸锂晶体

铌酸锂（LiNbO3）晶体 提供高质量的铌酸锂（LiNbO3）晶体，尺寸最大可以到50mm，并能提供镀介质膜或电极膜。 铌酸锂晶体是一种优异的人工晶体，可以作为双折射器件使用，也可以用于非线性应用，或者用于电光效应场合。其电光系数比较大，而且价格便宜，是制作电光调制器的常用材料。具有较高的双折射率，也常用于光通讯器件中，起到偏振元件的作用。在非线性方面，被广泛应用于OPO和OPM。 铌酸锂（LiNbO3）晶体物理特性： 使用波长 420-5200nm 密度 4. 64g/cm3 潮解性 不潮解 ...


- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-03-29
- URL: https://www.2916.cn/soi%e6%99%b6%e5%9c%86-4inch-5inch-6inch-8inch-%e9%ab%98%e5%93%81%e8%b4%a8%e5%8d%8a%e5%af%bc%e4%bd%93%e6%9d%90%e6%96%99%e7%9a%84%e9%a2%86%e5%85%88%e4%be%9b%e5%ba%94%e5%95%86/
- 分类目录: 硅片
- 标签: soi晶圆

SOI 晶圆参数 Diameter 4“ 5” 6“ 8” Device Layer Dopant Boron, Phos, Arsenic, Antimony, Undoped Orientation , Type SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut Resistivity 0. 001-20000 Ohm-cm Thickness (um) 0. 2-150 The Uniformity


- Published: 2026-03-29
- Modified: 2026-03-29
- URL: https://www.2916.cn/2%e5%af%b8%e5%8f%8c%e6%8a%9b%e8%93%9d%e5%ae%9d%e7%9f%b3c%e5%90%91%e8%a1%ac%e5%ba%95%e7%89%87%e5%8f%82%e6%95%b0/
- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 2寸双抛蓝宝石C向衬底片, 蓝宝石晶片

产 品 规 格 书(SPECIFICATION) 拟制 审核 批准 技术 品质 生产 文件名称 2inch C-plane （0001） DSP 0. 1mM double side polished Sapphire substrates 文件编号 客户名 版本/修改次 A/0 受控号 客户品名 2寸双抛蓝宝石C向衬底片 材质 蓝宝石 认可书编号 1．形状、尺寸（Shape and Dimensions） 单位（unit）：mm No （Properties） （Target） （Tolera...


- Published: 2026-02-24
- Modified: 2026-03-29
- URL: https://www.2916.cn/%e8%b6%85%e8%96%84si%e7%89%87/
- 分类目录: 硅片
- 标签: 单晶硅片, 氧化硅片, 硅片, 绝缘硅片, 超薄硅片

一、硅片是什么？ 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 二、硅片的详细产品参数 掺杂物质 掺B 掺P 类型 P N 电阻率Ω. cm 10-3 ~ 40 10-3 ~ 40 EPD(cm-2 ) ≤100 ≤100 氧含量( /cm3 ) ≤1. 8 x1018 ≤1. 8 x1018 碳含量( /cm3 ) ≤5x1016 ● 晶体方向： ； ； ± 0. 5o 或 特殊的方向 ● 常规尺寸：dia2"x0. 1mm,dia2"x0. 2 mm ● ...


- Published: 2026-02-24
- Modified: 2026-02-24
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- 分类目录: Yag/YSZ单晶
- 标签: yag晶棒, yag激光器, 优质yag晶棒厂家, 贵州哪里有卖yag晶体的

Er:YAG晶体棒，又称掺钕钇铝石榴石晶体，化学式为Er:Y₃Al₅O₁₂，是一种综合性能良好的激光晶体。Er:YAG晶体广泛用于于整形外科和牙科领域等。Er：YAG激光晶体是50%铒掺杂的YAG，可激发2940nm激光用于医疗和牙科，结合了不同的输出波长以及Er：YAG，这是一种优秀的激光波长为2. 94μm的激光晶体。这个波长是所有现有波长中最容易被水和羟基磷灰石吸收的波长，同时被认为是一种高表面切割激光。它是一种众所周知的医学应用材料。掺杂浓度为50％的Er：YAG的发射波长为2940nm...


- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-02-01
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- 分类目录: 其他晶圆
- 标签: K9玻璃, 石英玻璃, 肖特N-BK7玻璃, 高硼硅玻璃

石英玻璃 石英玻璃晶圆是随着半导体、光学等领域高新技术的发展而出现的一种新型石英玻璃制品，因具有耐高温、抗腐蚀、机械性能优异、光传输效率高等特点而被应用于半导体、光学等行业的生产制造。石英玻璃晶圆应用方向包括微机电元件(MEMS)、CMOS、CCD 传感器、微波电路、物联网阵列以及各类光学、激光器件的加工制造。相比于传统的石英玻璃镜片，石英玻璃晶圆具有表面质量要求更高、尺寸更薄、加工精度更精密、表面光洁程度要求更严苛等特点。 合成有羟基远紫外石英玻璃：我国将人工合成有羟基石英玻璃称为远紫外光学石...


- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-02-01
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- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: GaAs衬底, 砷化镓, 砷化镓衬底

砷化镓（GaAs）是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。砷化镓材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作 MESFET、 HEMT 和 HBT 结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于半导体激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。 砷化镓材料的基本物理特性 砷化镓半导体材料是直接带隙结构，双能谷。晶体呈暗...


- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-02-01
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- 分类目录: 砷化镓/砷化铟/磷化铟
- 标签: GaAs衬底, 氮化镓, 氮化镓衬底

氮化镓（GaN）半导体禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。 氮化镓材料基础特性 在大气压力下，氮化镓晶体一般是六方纤锌矿结构，它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为砷化镓（GaAs）的一半。在室温下氮化镓不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。氮化镓在HCL或H2气下，在高温下呈现不...


- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-08-09
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- 分类目录: 硅片
- 标签: Silicon wafer, 区熔法, 单晶硅, 单晶硅片, 直拉法, 硅单晶

硅材料是目前主要的元素半导体材料，用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等领域，是电子工业的基础材料。热氧化是硅平面技术中一项重要的工艺，硅与含有氧化物质的气体，如水汽和氧气在高温下进行化学反应，在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)绝缘薄膜，具有稳定的化学性质，在集成电路制造中有广泛的应用。 硅材料的物化性质 硅材料硬而脆（Mohs 7. 0）；禁带宽度1. 12eV；对光的吸收处于红外波段，具有高发射率和折射率（3. 42）；硅具有明显的热传导和热膨胀性质（线性膨胀系数2....


> 蓝宝石晶棒/晶锭通常用作进一步加工的原料。这些蓝宝石晶棒和蓝宝石晶锭形状均匀，通常为圆柱体。蓝宝石晶体最多生长在A轴上，在LED市场上使用最广泛的蓝宝石衬底是其C面（0001）。因此，从晶体侧面掏取C面（0001）蓝宝石晶棒。

- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-06-29
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 蓝宝石晶棒, 蓝宝石晶锭

蓝宝石晶锭/晶棒通常用作进一步加工的原料。这些蓝宝石晶棒和蓝宝石晶锭形状均匀，通常为圆柱体。蓝宝石晶体最多生长在A轴上，在LED市场上使用最广泛的蓝宝石衬底是其C面（0001）。因此，从晶体侧面掏取C面（0001）蓝宝石晶棒。 Specifications of 蓝宝石晶棒 | 晶锭 Item Sapphire Ingots Crystal Materials 99,999%, High Purity, Monocrystalline Al2O3 Orientation C-plane(0001...


- Published: 2026-02-01
- Modified: 2026-06-07
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- 分类目录: 蓝宝石
- 标签: 2寸C面蓝宝石, 蓝宝石晶片, 蓝宝石衬底价格

我们采用专用的CMP（Chemical-Mechanical Polishing）技术对蓝宝石晶片进行抛光，以较低的成本为客户提供高表面质量的蓝宝石晶片。 我们拥有各种规格的标准蓝宝石晶片库存，以确保能快速交货。每一片晶片都在100级净化间，用18 MΩ *cm以上超纯水清洗，然后装在洁净的卡塞盒。25件/盒或单片盒包装，最大限度地为客户提供研究的灵活性。 Specifications of 2英寸C面（0001）蓝宝石晶片 Item 2-inch C-plane(0001) 430μm Sap...