第三代半导体碳化硅分为 3C、4H、6H 三种主流晶型，商业化量产里 4H-SiC 占据 95% 以上市场份额，也是新能源汽车车载 OBC 车载充电机、主逆变器、充电桩功率器件的核心衬底材料。
4H 碳化硅禁带宽度 3.26eV，击穿电压可达 1700V 以上，饱和电子漂移速度快，高频开关工况下导通损耗极低，相比传统硅基 IGBT，搭载 4H-SiC 器件的电动车电控系统功耗降低 15%~20%，整车续航同步提升，设备散热结构可以小型化设计。6H-SiC 更多用于高压直流输电、光电探测器；3C-SiC 制备难度高，仅实验室小批量研发使用，不适合工业化量产。
半绝缘型 4H 碳化硅衬底电阻率＞10⁵Ω・cm，绝缘性能优异，是 5G 射频功放、微波器件、毫米波雷达的关键基材，能够规避高频信号串扰问题；导电型衬底侧重功率 MOSFET、IGBT 外延生产。行业采购重点关注衬底微管密度、位错密度、表面抛光洁净度，微小缺陷会直接造成器件高压测试击穿报废。
贵州火影科技供应 4 英寸、6 英寸 4H 导电 / 半绝缘碳化硅衬底，经过精密研磨、双面抛光、洁净清洗处理，面型指标对标商用标准，支持试样测试、小批量试产对接，适配车载半导体企业、射频器件厂商国产化验证需求。随着新能源车渗透率持续走高，碳化硅衬底国产替代需求快速释放，提前锁定稳定供货渠道能够有效缓解原材料交期紧张问题。
