一、2英寸氮化镓衬底的物理参数及基本尺寸规格介绍：
标称 2 英寸 =Φ50.8±1mm，行业通用厚度分两类：
- 标准片：400±50μm、430±50μm
- 薄型定制：350±25μm定位边（Flat）标准：
- 主定位边 (1-100)：16±1mm
- 副定位边 (11-20)：8±1mm
二、2英寸氮化镓衬底的基本参数表（也可定制）
三、氮化镓衬底 的三大主流导电类型：
1. N 型硅掺杂（Si-doped，功率 LED / 快充功率管首选）
- 电阻率：0.02~0.05 Ω・cm
- 载流子浓度：5×10¹⁸~2×10¹⁹ cm⁻³
- 位错密度 EPD：<5×10⁶ cm⁻²（产品级），高端 < 1×10⁶ cm⁻²
- 适用：蓝绿 Micro LED、垂直结构 GaN 功率二极管、快充开关器件
2. N 型非掺杂（Un-doped，科研、激光器）
- 电阻率：0.1~0.5 Ω・cm
- 载流子浓度：1×10¹⁷~5×10¹⁸ cm⁻³
- 晶体缺陷更低，适合 LD 激光外延生长
3. 半绝缘 Fe 掺杂（Semi-insulating，射频微波 HEMT）
- 电阻率：>1×10⁶ Ω・cm
- Fe 补偿掺杂，隔绝漏电、抑制寄生电容
- 适用：5G 射频功放、毫米波雷达、高频射频器件
四、氮化镓衬底主流制作工艺优缺点对比：
| 工艺 | 优势 | 短板 | 2 寸衬底特点 |
|---|---|---|---|
| HVPE 氢化物气相外延 | 生长快、成本适中、量产成熟 | 位错中等 | 国内主流量产路线，供货充足 |
| 氨热法 Ammonothermal | 极低位错（<5×10⁴ cm⁻²）、晶体完美 | 生长极慢、价格昂贵 | 多用于高端科研、大功率激光器 |
五、氮化镓衬底与 2 寸蓝宝石 GaN 模板（Template）区分；
很多客户混淆两类产品：
-
2 寸自支撑 GaN 衬底（Freestanding GaN）
整块单晶 GaN，厚度 400μm 左右，无基底，垂直器件、高端激光专用，单价高。
-
蓝宝石 GaN 模板（Template）
基底是蓝宝石，表面仅 2~5μm 薄 GaN 外延层，仅用于水平 LED，无法做垂直功率器件，价格低廉。
六、我公司生产氮化镓交付流程与包装：
- 百级洁净室清洗，氮气密封单片晶圆盒包装
- 批量 25 片标准晶舟 Cassette 出货
- 可定制：A 面 / N 面衬底、特殊偏角、双面抛光、低缺陷高端料
