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4英寸氮化镓自支撑衬底

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一、4英寸氮化镓自支撑衬底的基本规格数据:

标称 4 英寸 = Φ100±1mm,行业通用厚度:
  • 标准量产片:400±50μm / 480±50μm
  • 厚片定制(大功率功率器件):600~800μm

    定位边 Flat 规范(标准 M 面基准):

  • 主定位边:32±1mm,(10-10) M 面
  • 副定位边:18±1mm,顺时针 90° 分布

二、4英寸氮化镓自支撑衬底的产品性能参数表:
4英寸氮化镓自支撑衬底

三、4英寸氮化镓衬底核心工艺指标

参数 国产 HVPE 量产标准 高端低缺陷料(进口 / 氨热)
晶向 (0001) Ga 面,M 轴偏角 0.4°±0.2° 0.35°±0.1°
TTV 总厚度差 ≤30μm ≤15μm
BOW 翘曲度 ≤±30μm ≤±15μm
XRD(0002) FWHM ≤80 arcsec ≤40 arcsec
位错密度 EPD 1×10⁶~5×10⁶ cm⁻² <1×10⁶(氨热<5×10⁴)
表面粗糙度 Ra(正面 CMP) <0.3nm(10×10μm AFM) <0.15nm
有效可用面积 ≥90% ≥92%
抛光方案 标准:正面单抛、背面细磨;可选双面抛光 双面抛光标配

四、贵州火影科技有限公司4英寸氮化镓衬底快速选购指南:

车规垂直功率管、大功率 LED → Si 掺杂 N 型 4 寸 HVPE
5G/6G 射频、毫米波雷达 → Fe 半绝缘 4 寸衬底
高端大功率激光器、前沿学术研究 → 氨热法低 EPD 非掺杂 4 寸
小批量研发验证、预算有限 → 国产 HVPE 单抛 4 寸样品

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