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AlN陶瓷
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上架时间:2024-10-23
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产品简介:氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。编号密度···

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氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。



编号

密度(g/cm3)

热导率(W/m.K)

热胀系数(x10-6/℃

电介质强度(Kv/mm)

介电常数(at 1MHz)

损耗角正切(x104@1 MHz)

体电阻(ohm—cm)

弯曲强度(Kg/mm2)

SD5111

>3.20

80~100

<4.5

>15

9.0

3~10

>1013

>20

SD5113

>3.25

100~130

<4.3

>15

8.7

3~7

>1014

>25

SD5115

>3.25

140~170

<4.3

>15

8.7

3~7

>1014

>28

SD5116

3.26

>170

<4.2

>15

8.7

3~7

>1014

>30



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