一、磷化铟晶片的材料性能特点及应用？
材料特点：InP具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。
主要应用：5G通信是具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术，是实现人机物互联的网络基础设施；汽车雷达领域用在发现障碍物、预测碰撞、自适应巡航控制、微波雷达等在汽车雷达中有着重要应用。
二、磷化铟晶片的性能参数表？
|
晶体电学参数 |
||||
| 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度
(cm-3) |
迁移率
(cm2V-1s-1) |
位错密度
(cm-2) |
| 非掺 | n-型 | ≦3×1016 | (3.5- 4) ´103 | ≤2000 |
| 掺S | n-型 | (0.8-6)x1018 | (1.5-3.5) ´103 | ≤2000； |
| 掺Zn | p-型 | (0.6-6)x1018 | 50-70 | |
| 掺Fe | 半绝缘 | 电阻率
＞1´107 W.cm |
＞2000 | ≤2000； |
三、我公司磷化铟晶片的加工参数
|
晶片加工技术参数 |
|||
| 规格 | 2″ | 3″ | 4″ |
|
直径（mm） |
50.5±0.5 | 76.2±0.5 |
100.0±0.5 |
| 厚度（um） | 350±25 | 600±25 | 600±25 |
| 晶向 | (100)/(111) | (100)/(111) | (100)/(111) |
| 晶向偏差 | ±0.5º | ±0.5º | ±0.5º |
| 主定位边长度（mm） | 16±2 | 22±2 | 32.5±2 |
| 副定位边长度（mm） | 8±1 | 11±1 | 18±1 |
| 平整度TTV(um) | ＜10 | ＜10 | ＜15 |
| 弯曲度Bow(um) | ＜10 | ＜10 | ＜15 |
| 翘曲度Warp(um) | ＜15 | ＜15 |
＜15 |
