一、什么是常规硅片，常规单晶硅片有哪些应用？
硅片的原始材料是高纯度的多晶硅，经过一系列复杂的加工工艺，包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成，以满足半导体芯片制造的要求。⠀
常规单晶硅片的应用：硅片广泛用于集成电路（IC）、功率半导体、传感器和光电子器件，是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机、5G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步，硅片在高性能计算（HPC）和光通信中发挥着重要作用。
二、我公司提供的常规硅片、常规单晶硅片的性能参数。
| 单晶硅衬底（2~12英寸） | ||||||
| 直径 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm | 300.mm |
| 厚度 | 400μm | 400μm | 500μm | 625μm | 725μm | 775μm |
| 表面晶向 | <100> ∣ <111> ∣ <110> | |||||
| 生长方式 | CZ ∣ FZ | |||||
| 掺杂类型 | N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) | P-type(B-Doping) | undoped | |||
| 定位边晶向 | 16mm | 22mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch | Notch |
| 电阻率 | 0.001-0.005ohm-cm | 1-100ohm-cm | ＞10000ohm-cm | |||
| 正面状态 | Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
| 反面状态 | SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
| 总厚度偏差TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
| 弯曲度BOW | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
| 翘曲度WARP | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
| 边缘去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||
三、单晶硅片的产品性能表
| 单晶硅 Si | |
| Growth Method 生长方式 |
CZ/FZ |
| Crystal Structure 晶体结构 |
Diamond |
| Lattice Constant(nm) 晶格常数 |
a=5.4305Å |
| Density(g/cm3) 密度 |
2.329 |
| Melting point 熔点（℃） |
1410℃ |
| Mohs Hardness(mohs) 莫氏硬度 |
7 |
| Dielectric Constant 介电常数 |
11.8 |
| Band Gap(eV) 禁带宽度 |
1.1 |
| Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) 击穿电场 |
0.3 |
| Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K ) 热导率（导电型） |
1.48 |
| Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) 电子迁移率 |
1480 |
| 热膨胀系数 | 2.6×10^-6 /℃ |
| 折射率 | 3.5 |
