一、什么是12 英寸硅片区熔高阻 FZ 硅片（300mm FZ High Resistivity Silicon Wafer）？
12 英寸硅片区熔高阻 FZ 硅片、FZ=Float Zone 区熔法，无石英坩埚接触生长，氧、碳杂质极低；高阻指电阻率≥1000 Ω・cm，CZ 直拉硅无法做到超高阻区间，射频、高压功率器件必须用 FZ 高阻硅。12 英寸（300mm）是目前大尺寸 FZ 高端规格，量产难度远高于 6/8 寸 FZ。
二、12英寸区熔高阻FZ硅片市场价格是多少？
1、本征未掺杂超高阻 FZ（＞10kΩ・cm，射频 / 太赫兹），国产实验室 / 小批量：9000～16000 元 / 片；进口原厂标准 Prime 片：18000～28000 元 / 片；海外现货渠道单片片样可达3000 美金 +/ 片（约 21000 元）；
2、测试级 / 研磨片（无严苛颗粒管控，研发打样）：NTD 高阻研磨片：2200–3800 元 / 片；本征超高阻研磨片：5500–9000 元 / 片；
普通 12 寸 CZ 轻掺抛光片：仅700–900 元 / 片。12 寸 FZ 高阻是 CZ 的6～30 倍，核心原因：12 寸 FZ 单晶生长良率极低、NTD 辐照产能稀缺、大尺寸均匀性控制难度极高。
以上价格为市场预测价格，实际价格可能有浮动。此价格仅做参考；
三、FZ硅片与CZ硅片的关键差异及对比表
| 指标 | 12 寸 CZ 直拉硅 | 12 寸 FZ 区熔高阻硅 |
|---|---|---|
| 氧含量 | 20–45 ppma | ＜0.1 ppma |
| 极限电阻率 | ≤200 Ω·cm | 可达 20000 Ω・cm |
| 击穿电压 | 一般 | 极高，耐压性能强 |
| 高频损耗 | 高 | 极低，射频低损耗 |
| 少子寿命 | 偏低 | 超长，漏电流小 |
| 成本 | 低，大批量 | 高，特种小批量 |
| 适用场景 | 逻辑 / 存储、普通低压功率 | 射频、雷达、超高压功率、太赫兹 |
四、高阻硅片的主要应用场景
- 射频 / 微波通信：5G 射频前端、雷达、卫星收发芯片，高阻低介电损耗，隔离串扰
- 高压功率半导体：650V–3300V IGBT、超结 MOS、高压整流器、晶闸管
- 光电 / 红外 / 太赫兹：红外探测窗口、THz 光谱仪、光学传感器（硅对中远红外高透）
- 特种传感器：高压霍尔传感器、粒子探测器
- 高频测试 Dummy / 测试衬底：射频探针台校准晶圆
