一、什么是551晶向晶片？551晶向晶片的特殊晶向硅片与常规100晶向有什么区别？
Si (551) 晶向硅片（高指数晶向硅片），标准写法：(551) 晶面 / <551> 晶向，属于高指数偏晶向硅，不是量产通用晶向（常规为 100/111/110），这种特殊晶向晶片通常没有现货以定制片为主。
二、4英寸0.2mm厚551晶向硅片的规格书
| CERTIFICATE OF ANALYSIS | |||
| PRODUCT: 品名 |
双抛片 | SUPPLIER: 供应商 |
火影科技 |
| Lot No.: 批号 |
X00126052201 | QTY: 数量 |
25pcs |
| PARAMETER 规格 |
REQUEST 要求 |
SAMPLE DATA 抽样数据 |
|
| Growth Method 生长方法 |
FZ | FZ | |
| Type 型号 |
– | – | |
| Dopant 掺杂剂 |
– | – | |
| Resistivity 电阻率(ohm-cm) |
>3000 | 3200-4300 | |
| Crystal Orientation (晶向） |
<551> | <551> | |
| Off Oriantation ( o ) (晶向偏离） |
±0.2 | ±0.2 | |
| Diameter 直径(mm) |
100±0.2 | 100.0-100.1 | |
| Primary Flat Length 主参考面长度(mm) |
32.5±2.5 | 32.5±2.5 | |
| Secondary Flat Length 次参考面长度(mm) |
– | – | |
| Thickness 厚度 (um) |
200±5 | 199-203 | |
| TTV 总厚度变化(um) |
<5 | 1.6-2.7 | |
| Bow 弯曲度(um) |
<10 | 1.3-2.4 | |
| Warp 翘曲度(um) |
<15 | 8.8-11.2 | |
| Particle 表面颗粒（#@>0.3um） |
– | – | |
| Frontside 正面处理 |
Polished | Polished | |
| Backside 背面处理 |
Polished | Polished | |
| Remark 备注 |
|||
三、<551>晶向硅片与普通<100>晶向硅片对比表
| 晶向 | 定位 | 典型用途 |
|---|---|---|
| (100) | 量产主流 | CMOS、普通 MEMS、压力传感器 |
| (111) | 功率器件 / 光电 | IGBT、硅光探测器 |
| (110) | 特殊迁移率器件 | 部分 MOS、微反射镜 |
| (511) | 高指数（商用成熟） | XRD 零背景衬底 |
| (551) | 高指数定制研发 | Fin 器件、特殊三维刻蚀、表面科研 |
四、551晶向硅片的力学及机械性能指标
551晶向硅片、SiO₂/Si 界面固定电荷、界面态密度介于 (100) 与 (111) 之间；载流子迁移率具有强各向异性，沿不同晶向输运差异明显；离子注入、杂质扩散速率依赖表面台阶结构，和低指数硅片扩散剖面不一致。硅弹性模量、泊松比随晶向显著变化；(551) 常用于应力工程器件、微谐振器、压电 / 压阻 MEMS 仿真与样品制备。
五、551晶向硅片有哪些应用？
1、FinFET、围栅器件、纳米片晶体管实验；利用 (551) 侧壁优化沟道迁移率，大量半导体工艺专利使用该晶向衬底。
2、定向湿法刻蚀，制备非常规倾角微槽、微反射镜、闪耀光栅、三维微结构；用于需要精确控制侧壁倾角的原型器件。
3、周期性台阶表面，作为模型衬底研究金属外延、二维材料生长、表面重构、吸附动力学。
4、XRD 零背景衬底优先选 (510)、(511)；(551) 衍射峰位置不适合常规粉末 XRD 消除衬底干扰，不要选错。
六、贵州火影科技提供哪些特殊晶向硅片？
我公司可以定制一下特殊晶向硅片：551晶向硅片、553晶向硅片、533晶向硅片、311晶向硅片、750晶向硅片、733晶向硅片、754晶向硅片、331晶向硅片、320晶向硅片、730晶向硅片、211晶型硅片、310晶型硅片、664晶型硅片、211晶向硅片、755晶型硅片、410晶型硅片等，如果您有特殊要求请联系网站客服咨询。
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